10、Si3N4可以掩蔽Ga、 In、 ZnO。

10、Si3N4可以掩蔽Ga、 In、 ZnO。


参考答案和解析
正确

相关考题:

掩蔽效应分为()和时域掩蔽。 A.同时掩蔽B.滞后掩蔽C.频域掩蔽D.超前掩蔽

对ZnO性质和应用描述错误的是()。 A、禁带宽度比较大B、间接带隙C、可以作蓝光LEDD、可以作透明电极

在声音掩蔽中会出现的现象是() A.与掩蔽音频率接近的声音,受到的掩蔽作用大B.低频掩蔽音对高频声音的掩蔽作用要大于高频掩蔽音对低频声音的掩蔽作用C.掩蔽音强度很小时,掩蔽作用覆盖的频率范围也较小D.掩蔽音强度提高,掩蔽作用增强

有关声音的掩蔽效应,下列说法不正确的是(35)。A.一种频率的声音阻碍听觉系统感受另一种频率的声音的现象称为掩蔽效应B.掩蔽效应可以分为频域掩蔽和时域掩蔽C.低频纯音可以有效地掩蔽高频纯音D.声音的掩蔽曲线是线性的

关于听觉掩蔽的说法中不正确的是A.单耳掩蔽作用比双耳要显著B.无论何种掩蔽,只要掩蔽声强度增加,就会产生掩蔽量的相应增加C.同时掩蔽的最大掩蔽量出现在掩蔽声频率附近D.掩蔽声和被掩蔽声相距时间很短时,后掩蔽作用大于前掩蔽作用

下面关于听觉掩蔽效应的描述正确的有A.对中等强度的纯音来说,最有效的掩蔽是出现在该频率附近的纯音B.低频的纯音可以有效地掩蔽高频的纯音,高频的纯音对低频的纯音的掩蔽效应要弱一些C.被掩蔽音和掩蔽音之间的绝对强度的高低会影响产生听觉掩蔽的被掩蔽音和掩蔽音玄间的相对强度差异D.较听觉敏感的频率范围,在听觉不敏感的频率范围内,产生听觉掩蔽的被隐蔽音和掩蔽音之间的强度差异要大一些

关于声音掩蔽作用表述错误的是A.低频掩蔽音对高频声音的掩蔽作用,小于高频掩蔽音对低频声音的掩蔽作用B.与掩蔽音频率接近的声音,受到的掩蔽作用大C.掩蔽音强度提高,掩蔽作用增加D.掩蔽音强度提高,掩蔽作用覆盖的频率范围增加

气导阶梯掩蔽法的初始掩蔽级为()A、10dBB、20dBC、30dBD、40dBE、50dB

在声音掩蔽中会出现的现象是()。A、与掩蔽音频率接近的声音,受到的掩蔽作用大B、低频掩蔽音对高频声音的掩蔽作用要大于高频掩蔽音对低频声音的掩蔽作用C、掩蔽音强度提高D、纯音的掩蔽作用和噪音的掩蔽作用相同

NBDP通信中,船台收到字符可以发送电文()A、GA+?B、MSGC、GA+D、MSG+?

ZnO进口总硫为什么必须控制在3×10-6以下?

配位滴定不能用()掩蔽。A、配合掩蔽法B、氧化还原掩蔽法C、物理掩蔽法D、沉淀掩蔽法

根据反应的类型不同,()方法可以分为配位掩蔽法、氧化还原掩蔽法、沉淀掩蔽法等。A、研究B、解蔽C、分析D、阶掩蔽

下列关于氧化锌的装填正确的是()。A、装填完毕后还应在ZnO上铺上不锈钢网B、ZnO装填完毕后直接装入口分布器C、装填ZnO可以直接用桶倒入D、颗粒大于5%需过筛除尘

ZnO脱硫属于精细脱硫,可以将原料气中的硫含量脱除到()。

TISAB除了掩蔽干扰离子外,还可以()、()

常用于作吸附剂使用的是β-Si3N4。()

氮化硅的晶型及特点:α-Si3N4低温型(1400—1600℃)(),硬度高,不稳定;β-Si3N4高温型:长柱状或斜状晶体,韧性强。

氧化锌对硫化氢的吸收反应为()A、H2S+ZnO===ZnS+H2OB、H2S+2ZnO===2ZnS+H2OC、2H2S+ZnO===ZnS+H2OD、H2S+ZnO===ZnS+2H2O

掩蔽分为()A、纯音对语音的掩蔽B、纯音对纯音的掩蔽C、噪音对纯音的掩蔽D、噪音对语音的掩蔽

目前部队现在所使用服装执行的标准是()A、GA10-2002/2009B、GA10-2002C、GA10-1997

多选题络合滴定中,常用的掩蔽方法有()。ApH掩蔽法;B络合掩蔽法;C沉淀掩蔽法;D氧化—还原掩蔽法。

填空题氮化硅的晶型及特点:α-Si3N4低温型(1400—1600℃)(),硬度高,不稳定;β-Si3N4高温型:长柱状或斜状晶体,韧性强。

问答题Si3N4材料在半导体工艺中能否用作层间介质,为什么?请举两例说明Si3N4在集成电路工艺中的应用。

多选题为消除干扰离子的影响,可采用掩蔽法。掩蔽法分为()。A络合掩蔽;B沉淀掩蔽;C氧化-还原掩蔽;D滴定掩蔽。

单选题气导阶梯掩蔽法的初始掩蔽级为()A10dBB20dBC30dBD40dBE50dB

多选题在声音掩蔽中会出现的现象是()。A与掩蔽音频率接近的声音,受到的掩蔽作用大B低频掩蔽音对高频声音的掩蔽作用要大于高频掩蔽音对低频声音的掩蔽作用C掩蔽音强度提高D纯音的掩蔽作用和噪音的掩蔽作用相同

填空题TISAB除了掩蔽干扰离子外,还可以()、()