P型半导体中的多数载流子是自由电子 。 () 此题为判断题(对，错)。
自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()
下列关于P型半导体的说法正确的是()。A、自由电子`数大于空穴总数B、空穴总数远大于自由电子数C、自由电子成为多数载流子D、空穴成为少数载流子
P型半导体中空穴为少数载流子,自由电子为多数载流子。() 此题为判断题(对，错)。
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子。而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
在P型半导体中，（）是多数载流子。A、空穴B、负电荷C、正电荷D、自由电子
N型半导体中，多数载流子是（），P型半导体中，多数载流子是（）。A、正离子B、自由电子C、空穴D、负离子E、质子F、中子
N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
P型半导体中的多数载流子是（）A、自由电子B、空穴C、正离子
下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子
P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
P型半导体的多数载流子是（）。A、空穴B、自由电子C、正离子D、负离子
对半导体而言，其正确的说法是（）A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子
N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。
P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）
P型半导体中的多数载流子是指（）A、自由电子B、空穴C、自由电子—空穴对D、等离子
半导体的空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
半导体的自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
单选题P型半导体中的多数载流子是（）。A自由电子B空穴C束缚电子D晶格上的离子
单选题在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。A空穴／自由电子B自由电子／空穴C空穴／共价键电子D负离子／正离子
填空题PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。
单选题在P型半导体中，（）是多数载流子。A空穴B负电荷C正电荷D自由电子