动态RAM电路简单，功耗低，集成度高，存储容量大。（）
动态RAM电路简单，功耗低，集成度高，存储容量大。（）
参考答案和解析
正确
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和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是( )。A．集成度低，存取周期快，位平均功耗大B．集成度低，存取周期慢，位平均功耗小C．集成度高，存取周期快，位平均功耗小D．集成度高，存取周期慢，位平均功耗大
下面说法正确的是()。A.ROM不用刷新，但集成度比动态RAM高，但断电后存储的信息消失B.半导体RAM信息可读可写，且断电后仍能保持记忆C.静态RAM和动态RAM都是易失性存储器，断电后存储的信息消失D.动态RAM属于非易失性存储器，而静态RAM存储的信息断电后信息消失
下列说法错误的是（）A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较高
下列关于RAM的说法中，错误的是（）A、DRAM芯片电路简单，集成度高，工耗小，成本低B、SRAM芯片电路复杂，集成度低，工耗大，成本高C、DRAM工作速度快，适合用作CacheD、无论是DRAM还是SRAM，当关机或断电时，其中的信息都将随之丢失
判断题集成电路的优点：体积大、重量重；功耗小、成本高；速度快、可靠性低。A对B错