论述题:例举生产、生活中两种典型的半导体器件或者器件单元,结合半导体器件基础的基本知识,对工作中涉及到的物理机制进行分析,指出其可能存在的问题,提出一些改善建议。

论述题:例举生产、生活中两种典型的半导体器件或者器件单元,结合半导体器件基础的基本知识,对工作中涉及到的物理机制进行分析,指出其可能存在的问题,提出一些改善建议。


参考答案和解析
典型和意境都是艺术创作中的高层次形象,是艺术家的最高追求,也是最富于审美价值的艺术形象和境界。二者的共同之处主要体现在:(1)典型与意境同属于美学范畴。(2)均具有丰富而深邃的内在意蕴。(3)在被欣赏接受时,都能够产生较为强烈的情感冲击力和心灵震撼力,充分地调动起欣赏者的联想和想像,激发起欣赏者投入再创造的状态之中。典型与意境的区别主要在于:(1)各自酌含义不同,(2)在艺术作品中的侧重不同。典型以再现为主,注重写实,以人物塑造见长,比较直接地反映生活;意境则以表现为主,注重抒情,以情景交融的画面见长,对社会生活的反映比较间接。(3)典型与意境具有不同的特征。典型的特征主要体现特殊性与普遍性的统一。而意境的特征主要表现于情景交融、虚实相生,更能激发起人的美好联想。可以说典型的意义更多诉之于人的理性思考,而意境的价值更多引发人的情感联想。二者在审美效应上有一定的差别。

相关考题:

下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()。 A.GTRB.MOSFETC.IGBT

半导体湿度传感器可以分为()。A、元素半导体湿敏器件B、金属氧化物半导体湿敏器件C、多功能半导体陶瓷湿度传感器D、MOSFET湿敏器件E、结型湿敏器件

理想的功率半导体器件应该是能承受高电压、大电流的器件。() 此题为判断题(对,错)。

下列大功率半导体器件中的()是全控型器件,但不是电流型器件。 A、GTRB、SCRC、IGBTD、GTO

半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的()。 A.性能参数B.转移特性C.内部性能D.特性曲线

利用半导体的光电效应制成的器件叫半导体器件。

整流电路主要是利用()实现的。A、半导体器件的单向导电性B、半导体器件的电容效应C、半导体器件的击穿特性D、半导体器件的温度敏感性

半导体三极管是一种()。A、电压控制电压的器件B、电压控制电流的器件C、电流控制电流的器件D、电流控制电压的器件

不论P型半导体还是N型半导体,就半导体器件来说都是带电的。

()都不能单独构成半导体器件,PN结才是构成半导体器件的基本单元。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、NPN型半导体

半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的()。A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线

在射频电路分析中,能产生信号频率以外的新频率分量的元器件属于有源元器件,可能成为形成干扰的重要环节。下列元器件中属于有源元器件的有()A、半导体三极管B、可调电感器C、电阻假负载D、晶体滤波器

主导TFT器件工作的半导体现象是什么?它的物理意义和主要影响参数?为提高TFT器件在液晶显示器中的开关作用,从半导体的角度应该提高什么,降低什么?

晶体管是电流控制型半导体器件,而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。

某发明专利申请的权利要求1如下:“权利要求1:一种半导体器件,包括部件a、b、c。”下列哪些权利要求的撰写存在缺陷?()A、权利要求2:如权利要求1所述的制造半导体器件的方法,其特征在于dB、权利要求2:制造如权利要求1所述的半导体器件的方法,其特征在于eC、权利要求2:如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于所述部件f由铜制成D、权利要求2:如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于还包括部件g

什么叫半导体?常用的半导体器件有哪些?

具有自关断能力的电力半导体器件称为()。A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、触发型器件

逆变器的功率半导体器件采用IGBT。

半导体器件封装材料

单极型器件是仅依靠单一的多数载流子导电的半导体器件。

构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有()和()特性。

半导体管图示仪在对半导体器件进行测量的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的()。A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线

下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()。A、GTRB、MOSFETC、IGBT

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单选题具有自关断能力的电力半导体器件称为()。A全控型器件B半控型器件C不控型器件D触发型器件

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判断题功率器件上的伏安乘积就是功率半导体器件上所产生的损耗。A对B错

问答题半导体发光器件主要包括哪两种?