在三极管发射结正偏、集电结反偏的情况下,下面关于三极管三极的电流,描述正确的是()。A.三极管的发射极电流Ie = 集电极电流Ic + 基极电流IbB.工程应用中,可忽略基极电流Ib,近似认为发射极电流Ie = 集电极电流IcC.直流集电极电流Ic远大于直流基极电流Ib,且 Ic = β ̅Ib,说明,三极管具有直流电流放大能力。D.交流集电极电流ic远大于交流基极电流ib,且 ic = βib,说明,三极管具有交流电流放大能力。

在三极管发射结正偏、集电结反偏的情况下,下面关于三极管三极的电流,描述正确的是()。

A.三极管的发射极电流Ie = 集电极电流Ic + 基极电流Ib

B.工程应用中,可忽略基极电流Ib,近似认为发射极电流Ie = 集电极电流Ic

C.直流集电极电流Ic远大于直流基极电流Ib,且 Ic = β ̅Ib,说明,三极管具有直流电流放大能力。

D.交流集电极电流ic远大于交流基极电流ib,且 ic = βib,说明,三极管具有交流电流放大能力。


参考答案和解析
错误

相关考题:

三极管处于放大状态时,三极管的发射结和集电结分别处于()。A.发射结和集电结都处于正偏B.发射结处于正偏,集电结处于反偏C.发射结处于反偏,集电结处于正偏D.发射结和集电结都处于反偏

一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏,则此三极管处于()状态;其发射结和集电结都处于反偏时,此三极管处于()状态;当发射结正偏、集电结反偏时,三极管为()状态。

三极管工作在放大区的条件是()。 A、发射结正偏,集电结正偏B、发射结反偏,集电结正偏C、发射结正偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结反偏

半导体三极管的放大条件是()。 A.发射结正偏,集电结反偏B.发射结正偏,集电结正偏C.发射结反偏,集电结正偏D.发射结反偏,集电结反偏

工作在放大状态的三极管,各极的电位应使三极管满足什么?( )A.发射结正偏,集电结反偏B.发射结反偏,集电结正偏C.发射结、集电结均反偏D.发射结、集电结均正偏

无论采用哪种连接方式,也无论是采用NPN型三极管还是PNP型三极管,要使三极管具有放大作用,都必须保证()。A.发射结正偏、集电结反偏B.发射结反偏、集电结正偏C.发射结反偏、集电结反偏D.发射结正偏、集电结正偏

双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是()A、发射结正偏,集电结正偏B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结正偏

处于截止状态的三极管,其工作状态为()。A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结反偏,集电结反偏C、发射结正偏,集电结正偏

晶体三极管工作在放大区的条件是()。A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结反偏,集电结反偏C、发射结正偏,集电结正偏D、不确定正反偏

三极管工作在截止模式时要求()A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏

若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结反偏、集电结反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏

三极管工作在放大状态时,发射结和集电结的偏置应为()。A、发射结零偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结正偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结反偏

三极管饱和工作状态的外部条件是()。A、发射结正偏、集电结反偏B、发射结反偏、集电结正偏C、发射结正偏、集电结正偏

三极管截至工作状态的外部条件是().A、发射结反偏、集电结反偏B、发射结反偏、集电结正偏C、发射结正偏、集电结正偏

三极管起放大作用的外部条件是()。A、发射结正偏、集电结反偏B、发射结反偏、集电结正偏C、发射结正偏、集电结正偏

三极管工作在放大状态的条件()。A、发射结与集电结都正偏B、发射结与集电结都反偏C、发射结反偏、集电结正偏D、发射结正偏、集电结都反偏

对三极管部电路有如下要求:()A、发射结正偏,集电结正偏B、发射结反偏,集电结反偏C、发射结正偏,集电结反偏

NPN型三极管在共射极电路中,如果三极管工作在放大区,则应是()。A、发射结正偏,集电结正偏B、发射结反偏,集电结正偏C、发射结正偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结反偏

三极管处于放大状态时,三极管的发射结和集电结分别处于()A、发射结和集电结都处于正偏B、发射结处于正偏,集电结处于反偏C、发射结处于反偏,集电结处于正偏D、发射结和集电结都处于反偏

三极管工作在放大状态时,PN结的偏置状态是()。A、发射结、集电结皆正偏B、发射结、集电结皆反偏C、发射结正偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结正偏

工作在放大区的NPN型三极管,其偏置条件是()A、发射结反偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结正偏,集电结正偏

三极管工作于放大状态的条件是()A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏

半导体三极管处在饱和状态时是()A、发射结反偏集电结反偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结正偏D、发射结反偏集电结正偏

三极管工作在饱和区,要求()A、发射结正偏,集电结正偏B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏

晶体三极管工作在饱和区时,要求()A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结正偏

三极管工作在放大状态时,其偏置应为()A、发射结零偏集电结反偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结正偏D、发射结反偏集电结反偏

单选题半导体三极管的放大条件是()。A发射结正偏,集电结反偏B发射结正偏,集电结正偏C发射结反偏,集电结正偏D发射结反偏,集电结反偏

单选题若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()A发射结正偏、集电结正偏B发射结反偏、集电结反偏C发射结正偏、集电结反偏D发射结反偏、集电结正偏