关于能带描述正确的是() A、满带指能带已经充满电子B、禁带是指电子不能存在的区域C、能带的电子充填情况等同于原子能级D、能带中能级的密度随能量增加而增加
半导体与绝缘体有十分类似的能带机构,只是半导体的禁带宽度要窄得多。() 此题为判断题(对，错)。
半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠。（）
N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）A.满带中B.导带中C.禁带中，但接近满带顶D.禁带中，但接近导带底
下列不是能带的是（）.A、价带B、电带C、导带D、禁带
N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
试分析、阐述导体、半导体（本征、掺杂）和绝缘体的能带结构特点。
试用晶体能带理论说明金属、半导体、绝缘体的导电性质。
与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是（）。A、导带也是空带B、满带与导带重合C、满带中总是有空穴，导带中总是有电子D、禁带宽度较窄
BSS由BTS和BSC组成，其中（）。A、1个BTS只能带1个BSCB、1个BSC只能带1个BTSC、1个BTS可以带N个BSCD、1个BSC可以带N个BTS
p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
P型半导体和N型半导体中都有载流子，但就半导体器件本身都是（）A、不带电的B、带正点的C、带负电的
孤立原子相互靠近时，为什么会发生能级分裂和形成能带？禁带的形成规律是什么？何为材料的能带结构？
问答题简述能带理论，并解释导体，绝缘体和半导体的导电性。
填空题电子占据了一个能带中的所有的状态，称该能带为（）；没有任何电子占据的能带，称为（）；导带以下的第一满带，或者最上面的一个满带称为（）；最下面的一个空带称为（）；两个能带之间，不允许存在的能级宽度，称为（）。
单选题半导体中施主能级的位置位于（）中。A禁带B价带C导带D满带
单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A价带，导带B价带，禁带C禁带，导带D导带，价带
单选题与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）A比半导体的大B比半导体的小C与半导体的相等
问答题用固体能带理论说明什么是导体、半导体、绝缘体？
问答题根据能带理论简述金属、半导体和绝缘体的导电性。
问答题从能带理论和导电率的角度简述绝缘体、半导体、导体的导电或绝缘机制。
单选题半导体中施主能级的位置位于（）。A禁带B满带C导带D价带
单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A禁带B价带C导带D满带
单选题掺杂型探测器是由（）之间的电子-空穴对复合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。A禁带B分子C粒子D能带
单选题对于P型半导体来说，以下说法正确的是（）A电子为多子B空穴为少子C能带图中施主能级靠近于导带底D能带图中受主能级靠近于价带顶
问答题半导体的能带结构与金属导体、绝缘体的能带结构有何区别？