1、过剩载流子的复合描述不正确的是（）A．过剩电子和空穴是成对复合的，复合率相同B．直接的带间复合是一种自发行为C．电子和空穴的复合率是时间的函数D．复合的概率必须同时与电子和空穴的浓度成比例

1、过剩载流子的复合描述不正确的是（）

A．过剩电子和空穴是成对复合的，复合率相同

B．直接的带间复合是一种自发行为

C．电子和空穴的复合率是时间的函数

D．复合的概率必须同时与电子和空穴的浓度成比例

参考答案和解析
一般情况，注入的非平衡载流子浓度比平衡的多数载流子浓度小很多。;小注入的情况下，非平衡少子的浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大很多。;非平衡少数载流子起重要作用。

相关考题：

自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。() 此题为判断题(对，错)。
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三极管的反向电流ICBO是由()组成的。 A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、带电离子
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按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况可知分类,由电子和空穴两种载流子参与导电的器件称为()。 A.单极型器件B.双极型器件C.复合型器件
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P型半导体的多数载流子是_________,少数载流子是______。
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场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。
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对PN结加反偏电压时,参与导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子，也有少数载流子
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电导率σ=nqμ，其中n是，q是，μ是。（）A.载流子的数量，电场强度，载流子的迁移率B.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移速度C.载流子的数量，载流子的电荷量，载流子迁移速率D.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移率
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电池片高效率化技术的方法有（）A、光封闭技术B、光生载流子收集效率的改善C、光生成载流子复合损失的增加D、直接电阻损失的增加E、电压因子损失的减少
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由光吸收的载流子中，太阳能电池的表面或者背面电极由于与环境复合造成的表面（）A、复合损失B、反射损失C、串联电阻损失D、体面复合损失
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分配噪声就是发射极电流随基区载流子复合数量的变化而变化所引起的噪声。
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当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（）A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、本征载流子
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叙述晶体三极管电流的传输过程（）。A、发射区向基区注入载流子过程B、少数载流子，在基区扩散与复合过程C、集电区收集载流子的过程D、基区向发射区注入载流子过程
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下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子
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半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
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N型半导体中的多数载流子是（），少数载流子是（）。
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对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
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半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，下列关于气敏传感器工作机理的描述，不正确的是（）。A、氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加B、氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子增多，电阻值减少C、还原性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加D、还原性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加
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对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。A、非平衡载流子浓度成正比；B、平衡载流子浓度成正比；C、非平衡载流子浓度成反比；D、平衡载流子浓度成反比。
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判断题注入电致发光显示在半导体PN结上加反偏压产生少数载流子注入，与多数载流子复合发光。A对B错
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单选题由光吸收的载流子中，太阳能电池的表面或者背面电极由于与环境复合造成的表面（）A复合损失B反射损失C串联电阻损失D体面复合损失
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多选题电池片高效率化技术的方法有（）A光封闭技术B光生载流子收集效率的改善C光生成载流子复合损失的增加D直接电阻损失的增加E电压因子损失的减少
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填空题发光二极管是（）载流子在PN结区注入与复合而产生发光的半导体光源。
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填空题光照增强的同时，载流子浓度不断的增加，同时光敏电阻的温度也在升高，从而导致载流子运动加剧，因此复合几率也增大，光电流呈（）趋势。
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判断题自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。A对B错
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单选题对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。A非平衡载流子浓度成正比；B平衡载流子浓度成正比；C非平衡载流子浓度成反比；D平衡载流子浓度成反比。
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单选题施主杂质和受主杂质之间有相互抵消作用，通常称为（）A杂质电离B杂质补偿C载流子复合D载流子迁移
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问答题载流子的输运有哪些模式？对这些输运模式进行简单的描述。
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单选题场效应管参与导电的载流子是（）。A电子B空穴C多数载流子D少数载流子
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