含成氨生产中,半水煤气中氧含量变化 将引起变换触媒层温度剧烈变化,为了保证安全运行,解决触媒层温度调节系统的滞后现象可()。A.后馈调节B.中间调节C.前馈调节D.任意调节

含成氨生产中,半水煤气中氧含量变化 将引起变换触媒层温度剧烈变化,为了保证安全运行,解决触媒层温度调节系统的滞后现象可()。

A.后馈调节

B.中间调节

C.前馈调节

D.任意调节


相关考题:

干法出口总硫高是()原因造成的。 A.干法触媒床层温度低。B.触媒硫容饱和C.负荷过大D.气体成份不符合工艺要求,氨含量高,铁钼触媒中毒E.湿法脱硫出口H2S含量太高

控制焦炉气中的氧含量原因是()。 A.安全方面考虑,氧含量达到可燃性气体的爆炸极限会引起爆炸事故B.氧含量高会在触媒层起氧化反应,烧坏触媒C.氧含量高与氢气、甲烷等气体发生氧化反应,是生成甲醇的有效气体变少D.氧含量高会使转化合成触媒中毒

合成氨生产中,半水煤气中硫化氢含量过高,会使变换触媒暂时中毒,从而使( )。A.变换反应速度上升B.变换反应速度上升,反应热下降C.变换反应速度下降,反应热上升D.变换反应速度下降,反应热下降

气化层温度过低,易造成半水煤气中氧含量升高。

23#触媒为何要再生()A、提高床层温度B、提高触媒活性C、降低床层温度

调节触媒层温度的方法有哪些,正确的是()A、改变循环量B、调节塔主线C、改变进口氨含量D、改变惰性气体含量

触媒层温度突然下降,系统压力突然升高的原因是什么,不正确的是()A、进塔气带氨、带水B、进塔气微量突降C、内件冷管束损坏,冷气进入触媒层D、中心管、冷管下行或其填料损坏造成冷气进入触媒层

变换触媒层温度下降的原因有()A、蒸汽加入量小B、冷煤气量大C、触媒活性低

为了获得较高的转化率,通常在转化器的最后一层用低温触媒,尽量将触媒温度降低,以接近平衡转化率。

饱和热水塔若液位()将增大系统压降,有时还会造成半水煤气带水,引起触媒温度骤变,多次带水将使触媒粉化和系统阻力增大。A、过高;B、过低;C、波动;

含成氨生产中,半水煤气中氧含量变化将引起变换触媒层温度剧烈变化,为了保证安全运行,解决触媒层温度调节系统的滞后现象可()。A、后馈调节;B、中间调节;C、前馈调节;D、任意调节

触媒层温度控制原则:()、()、()、()、()、()。

变换触媒硫化升温阶段,触媒层温度控制在150℃—220℃之间

影响催化剂床层温度的主要因素有哪些,正确的是()A、生产负荷变动B、蒸汽压力变动,系统压力变动C、喷水流量的变化D、半水煤气中氧含量高,使床层温度急剧上升

热交换器内漏的危害是什么,正确的是()A、半水煤气走短路,变换率高B、半水煤气中的氧不经抗氧剂直接进入二段触媒使催化剂失活C、油水杂质不经过净化剂进入触媒导致系统压差增大D、半水煤气走短路,变换率低

燃料层的料层过低不但使气化床遭到破坏,还会引起半水煤气中氧含量增高

因停车后,触媒处于保温保压还原状态,触媒温度能反映触媒槽内的变化情况,设备和管道泄漏及气体冷却系统会出现负压,这样空气将进入设备,时间久了若不注意,很可能造成触媒氧化燃烧,烧毁触媒烧坏设备,所以停车以后仍然要做触媒温度的记录,以便随时了解炉内温度的变化。

控制焦炉气中的氧含量原因是()。A、安全方面考虑,氧含量达到可燃性气体的爆炸极限会引起爆炸事故。B、氧含量高会在触媒层起氧化反应,烧坏触媒C、氧含量高与氢气、甲烷等气体发生氧化反应,是生成甲醇的有效气体变少。D、氧含量高会使转化合成触媒中毒。

含成氨生产中,半水煤气经脱硫,变换后还含有二氧化碳气体,他对合成塔内的触媒有()作用。A、保护触媒;B、帮助反应;C、无作用;D、毒害

含成氨生产中,变换工段饱和热水塔液位的干扰主要是由()引起。A、半水煤气负荷的变化B、半水煤气的成份变化C、半水煤气的温度D、以下都不对

单选题饱和热水塔若液位()将增大系统压降,有时还会造成半水煤气带水,引起触媒温度骤变,多次带水将使触媒粉化和系统阻力增大。A过高;B过低;C波动;

单选题含成氨生产中,半水煤气中氧含量变化将引起变换触媒层温度剧烈变化,为了保证安全运行,解决触媒层温度调节系统的滞后现象可()。A后馈调节;B中间调节;C前馈调节;D任意调节

单选题含成氨生产中,变换工段饱和热水塔液位的干扰主要是由()引起。A半水煤气负荷的变化B半水煤气的成份变化C半水煤气的温度D以下都不对

单选题含成氨生产中,半水煤气经脱硫,变换后还含有二氧化碳气体,他对合成塔内的触媒有()作用。A保护触媒;B帮助反应;C无作用;D毒害

判断题气化层温度过低,易造成半水煤气中氧含量升高。A对B错

单选题23#触媒为何要再生()A提高床层温度B提高触媒活性C降低床层温度

单选题合成氨生产中,半水煤气中硫化氢含量过高,会使变换触媒暂时中毒,从而使()。A变换反应速度上升;B变换反应速度上升,反应热下降;C变换反应速度下降,反应热上升;D变换反应速度下降,反应热下降;