Pentium微处理器进行存储器读操作时,在时钟周期T1期间,完成下列哪一项操作?( )A.W/R信号变为高电平B.发送存储器地址C.读操作码D.读操作数

Pentium微处理器进行存储器读操作时,在时钟周期T1期间,完成下列哪一项操作?( )

A.W/R信号变为高电平

B.发送存储器地址

C.读操作码

D.读操作数


相关考题:

Pentium微处理器的突发式存储器材读/写总线周期包含几个CPU时钟周期?A.2个B.3个C.4个D.5个

CPU对存储器或I/O端口完成一次读/写操作所需的时间称为一个()周期。 A、指令B、总线C、时钟D、读写

Pentium微处理器在突发式存储器读周期期间,W/R和Cache信号分别为A.高电平和高电平B.高电平和低电平C.低电平和高电子D.低电平和低电平

下面是是关于Pentium 微处理器总线时序的叙述,其中错误的是A.CPU通过总线接口部件完成一次存储器读/写I/0所需要的时间称为总线周期B.Pentium微处器执行流水线式总线周期时,下一个总线周期使用的地址在前一个总线周期传送数据时提供C.Pentium微处器的基本总线周期需要2个或2个以上的总线时钟周期D.Pentium 微处理器的突发式读总线周期由2-1-1-1个时钟周期组成, 共传递5个64位数据

Pentium微处理器进行存储器读操作时,在时钟周期T1期间,完成下列______操作。A.信号变为高电平B.发送存储器地址C.读操作码D.读操作数

Pentium微处理器在突发式存储器读周期期间,W/R和CACHE信号分别为______。A.高电平和高电平B.高电平和低电平C.低电平和高电平D.低电平和低电平

在Pentium非流水线读周期T2以及其后的时钟周期内进行采样的信号是( )A.ADDRB.C.D.Data

Pentium微处理器执行非流水线读操作时,在T1期间ADS和W/R的状态是( )。A.0和0B.0和1C.1和0D.1和1

Pentium微处理器进行存储器读操作时,在时钟周期T1期间,完成下列操作( )。A.W/R信号变为高电平B.发送存储器地址C.读操作码D.读操作数

Pentium微处理器两种典型存储器操作时序为非流水线存储器周期与【 】周期。

Pentium微处理器执行突发式存储器读总线周期时,Cache(Cache Enable)和W/R信号的状态应该是______。A) 1,1B) 1,0C) 0,1D) 0,0A.B.C.D.

Pentium微处理器执行存储器读周期时,在时钟周期T1期间必须使(Address Data Strobe)和信号处于什么状态?A.0,0B.0和1C.1,0D.1,1

Pentium微处理器进行存储器读操作时,在时钟周期T(XB)期间,完成下列哪一项操作?( )A.W/R信号变为高电平B.发送存储器地址C.读操作码D.读操作数

Pentium微理器进行存储器读操作时,在时钟周期了1期间,完成下列操作( )。A.W/R信号变为高电平B.发送存储器地址C.读操作码D.读操作数

Pentimn4微处理器进行存储操作时,在时钟周期T1期间,完成下列哪一项操作?______A.W/R信号变为高电平B.发送存储器地址C.读操作码D.读操作数

Pentium 微处理器的突发式存储器读/写总线周期包含( )CPU时钟周期。A.2个B.3个C.4个D.5个

Pentium微处理器进行存储器读操作时,在时钟周期T1期间,完成下列哪一项操作?A.W/R信号变为高电平B.发送存储器地址C.读操作码D.读操作数

Pentium微理器进行存储器读操作时,在时钟周期Tl期间,完成下列操作( )。A.W/R信号变为高电平B.发送存储器地址C.读操作码D.读操作数

Pentium 微理器进行存储器读操作时,在时钟周期.T1期间,完成下列操作( )。A.W/R信号变为高电平B.发送存储器地址C.读操作码D.读操作数

8086CPU进行存储器写操作时,在总线周期的T1周期(状态)下,总线信号中()A、M/IO=HB、M/IO=LC、ALE=HD、WR=LE、DEN=H

CPU对存储器或I/O端口完成一次读/写操作所需的时间称为一个()A、指令周期B、总线周期C、时钟周期D、传输周期

下列哪一项不是CDRAM的优点()A、采用猝发式读取B、在SRAM读出期间,可同时对DRAM阵列进行刷新C、允许在写操作完成的同时来启动同一行的读操作D、读写操作与系统时钟同步,有利于提高系统的工作效率

8086微处理器的进行一次标准的读操作,需要:()A、2个时钟周期B、4个时钟周期C、6个时钟周期D、8个时钟周期

8088CPU对存储器进行读写操作时,在总线周期的T1状态时输出什么?

多选题8086CPU进行存储器写操作时,在总线周期的T1周期(状态)下,总线信号中()AM/IO=HBM/IO=LCALE=HDWR=LEDEN=H

单选题CPU对存储器或I/0端口完成一次读/写操作所需的时间为一个()A指令周期B总线周期C时钟周期

单选题CPU对存储器或I/O端口完成一次读/写操作所需的时间称为一个()A指令周期B总线周期C时钟周期D传输周期

单选题下列哪一项不是CDRAM的优点()A采用猝发式读取B在SRAM读出期间,可同时对DRAM阵列进行刷新C允许在写操作完成的同时来启动同一行的读操作D读写操作与系统时钟同步,有利于提高系统的工作效率