关于巴黎系统的插植基本规则，描述错误的是（）A、所有的放射源的线比释动能率相等B、放射源是相互平行的直线源C、插植时各直线源强度及长度相等D、各源的中心在同一平面，即中心平面E、多平面插植放射源排列为长方形或等边三角形
关于巴黎系统的插植基本规则，描述错误的是（）
- A、所有的放射源的线比释动能率相等
- B、放射源是相互平行的直线源
- C、插植时各直线源强度及长度相等
- D、各源的中心在同一平面，即中心平面
- E、多平面插植放射源排列为长方形或等边三角形
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有关缓释系统避孕药,下述哪项是错误的A.使用皮下埋植剂出现不规则阴道流血,可用炔雌醇止血SXB 有关缓释系统避孕药，下述哪项是错误的A.使用皮下埋植剂出现不规则阴道流血，可用炔雌醇止血B.使用Norplant Il不影响哺乳C.皮下埋植剂，于月经第7天内植入皮下D.为一种雌、孕激素混合剂E.可避孕5年，有效率为99％以上
以下关于波分网络设计描述错误的是( ) A.纯相干系统CD色散容限极大，不需要DCMB.相同传输距离下，相干系统的OSNR更好(没有DCM引入的系统插损)C.非相干or混合系统需要DCMD.相干系统PMD容限较低，需要考虑PMD补偿
巴黎系统的插植基本原则不包括（）A、多源插植时，放射源长度和各放射源间的距离相等B、平面插植时，周边源和中心源的强度之比由辐射平面的面积而定C、所有放射源的线比释动能率相等D、放射源是相互平行的直线源，插植时各源的中心在同一平面，即中心平面E、多平面插植，放射源排列为等边三角形或正方形
关于组织间照射步进源剂量学系统特点的描述，不正确的是（）A、步进源系统的建立是以巴黎系统为基础B、布源规则不一定严格遵守巴黎系统C、根据临床靶区的几何形状确定放射源的排列放射和间距D、放射源长度可以与巴黎系统不同E、采用优化处理可消除高剂量区的存在
关于数控铣床的插补原理，描述错误的是（）。A、数控系统计算刀具运动轨迹的过程称为插补B、圆弧插补的过程中数控系统把轨迹拆分成若干微小直线段C、插补过程中的坐标进给是根据判别结果，使刀具沿坐标轴移动0.01mmD、数控系统最常用的插补原理是逐点比较法
单选题关于组织间照射步进源剂量学系统特点的描述，不正确的是（）A步进源系统的建立是以巴黎系统为基础B布源规则不一定严格遵守巴黎系统C根据临床靶区的几何形状确定放射源的排列放射和间距D放射源长度可以与巴黎系统不同E采用优化处理可消除高剂量区的存在
单选题对组织间照射的巴黎系统单平面插植时放射源特点描述，不符合的是（）。A相互平行B按强度大小线性排列C长度相等D距离相等E源中心在同一平面