X射线中的电子线污染对剂量分布影响主要表现为（）A、治疗深度B、建成区宽度C、射野平坦度D、射野对称性E、建成区（包括皮肤表面）的剂量
X射线中的电子线污染对剂量分布影响主要表现为（）
- A、治疗深度
- B、建成区宽度
- C、射野平坦度
- D、射野对称性
- E、建成区（包括皮肤表面）的剂量
相关考题：
高能电子束的PDD曲线可大致分为A、剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区B、表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区C、表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区D、表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区E、剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区
当高能电子束能量增大时，其PDD曲线随能量变化的关系是A、PDD表面剂量减少、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加B、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加C、PDD表面剂量增加、坪区变窄、剂量梯度减少以及X射线污染增加D、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度增大以及X射线污染增加E、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染减少
有关TBI射线能量的选择，以下不正确的是（）A、原则上所有高能X（γ）线均能作全身照射B、TBI的剂量分布受组织侧向效应的影响C、TBI的剂量分布受组织剂量建成区的影响D、体中线与表浅部位间剂量的比值不随能量变化E、选择侧位照射技术，至少应用6MV以上的X射线
可以实施术中放射治疗的射线源有（）A、深部X射线、高能电子线、高剂量率锁-192后装放射源B、钴-60γ射线、高能电子线、高剂量率铱-192后装放射源C、深部X射线、低能电子线、低能X射线D、钴-60γ射线、低能电子线、高剂量率铱-192后装放射源E、钴-60γ射线、高能电子线、低剂量率铱-192后装放射源
单选题关于铅挡块对射野剂量分布影响的叙述，不正确的是（）A挡块的漏射改变了有效原射线的剂量分布B挡块的散射改变了有效原射线的剂量分布C挡块主要通过其本身对射线的散射而影响射野剂量分布D挡块改变了体膜散射的条件E挡块改变了体膜散射的范围
单选题高能电子束的PDD曲线可大致分为以下几个区域（）A剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区B表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区C表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区D表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区E剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区