晶体管的基本接线方式有:()。 A.共发射极接线B.发射极-基极接线C.共基极接线D.共集电极接线
无源RC低通滤波器的中心频率f0=（），品质因素Q=（）。上、下限截止频率定义在（）时对应的频率。
若采用同一晶体管构成放大电路，（）连接形式获得的通频带最宽。A、共集电极B、共发射极C、共基极D、共源极
值称为共发射极电流放大系数，是晶体管的一个重要参数，也是检验晶体管经过硼、砷掺杂后的两个pn结质量优劣的重要标志。（）
晶体管的高频参数中，大小顺序为（）。（fα共基极截止频率，fT特征频率，fβ共发射极截止频率）。A、fα〉fT〉fβB、fα〉fβ〉fTC、fα〈fT〈fβD、fα〈fβ〈fT
由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。A、共发射极电路B、共集电极电路C、共基极电路D、三者差不多
由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。A、共发射极B、共集电极C、共基级电路D、共集极和共集电极电路
晶体管共发射极交流放大系数用（）表示。A、αB、βC、ρD、κ
对于NPN型晶体管共发射极电路，当增大发射结偏置电压Ube时，其输入电阻也随之增大。
晶体管放大电路的基本接法有（）。A、共发射极B、共基极C、共集电极D、共控制极
晶体管放大电路的基本接法有（）A、共发射极B、共基极C、共集电极D、共控制极E、共输出极
在宽频带放大器中，为提高晶体管的高频端截止频率，常采用共（）放大电路。
晶体管有三个频率参数fβ/sub称为共射截止频率，fα称为共基截止频率，fT称为（）。
晶体管特性图示仪可观测（）特性曲线。A、共基极B、共集电极C、共发射极D、A、B和C
在共发射极晶体管的放大电路中，当加有输入信号（动态）时，集电极电流的变化量ΔIc与基极电流变化量ΔIb的比值称为共发射极（）放大系数。A、交流电流B、直流电流C、功率D、电功
在共发射极晶体管的放大电路中，当无输入信号（静态）时，集电极电流Ic与基极电流Ib的比值称为共发射极（）放大系数。A、交流电流B、直流电流C、功率D、电功
放大器中晶体管的三种接法是共发射极接法、共集电极接法、共基极接法。
判断题晶体管共发射极放大电路电流放大倍数较小。A对B错
判断题晶体管共发射极放大电路电压放大倍数较小。A对B错
填空题无源RC低通滤波器的中心频率f0=（），品质因素Q=（）。上、下限截止频率定义在（）时对应的频率。
填空题晶体管的共发射极直流短路电流放大系数是指（）结正偏、（）结零偏时的（）电流与（）电流之比。
单选题晶体管共发射极的截止频率fβ的定义是（）Aβ=β0时的工作频率Bβ=0.707β0时的工作频率Cβ=2β0时的工作频率Dβ=1时的工作频率
问答题超高频Si双极型晶体管的截止频率fT已达多少？