绝缘栅型场效应管的输入电流不为零。() 此题为判断题(对，错)。
增强型绝缘栅场效应管只有加一定的负栅压,才能形成导电沟道而导通。() 此题为判断题(对，错)。
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。 A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管
()场效应管能采取自偏压电路。A、增强型和结型B、耗尽型和结型C、都不能D、增强型和耗尽型
场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。 A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
场效应管分压式偏置电路适合于()场效应管组成的放大电路。 A.增强型B.耗尽型C.增强型和耗尽型D.以上均不对
增强型场效应管,工作时需要在栅源之间加正向电压() 此题为判断题(对，错)。
下列关于场效应管的说法中，错误的是： A、场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）B、场效应管工作于放大状态时，结型场效应管的栅极与源极之间的PN结是正向偏置C、一般来说，场效应管的输入电阻都比较高，结型高达107Ω，绝缘型高达109ΩD、场效应管具有输入电阻高、温度稳定性好、噪声小等优点E、一般来说，场效应管的放大能力大都比较弱
N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A、正极性B、负极性C、零D、不能确定
结型场效应管可分为（）。A、MOS管和MNS管B、N沟道和P沟道C、增强型和耗尽型D、NPN型和PNP型
结型场效应管与绝缘栅型场效应管在使用和保管时注意事项相同。
对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小
绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
（）具有不同的低频小信号电路模型。A、NPN型管和PNP型管B、增强型场效应管和耗尽型场效应管C、N沟道场效应管和P沟道场效应管D、晶体管和场效应管
MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和（）两种类型。
场效应管按结构分为结型和（）。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型
场效应管按其结构不同常见的两种类型：（）和绝缘栅场效应管。
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管
绝缘栅型场效应管通常称为（）、存放时应将三个电极（）。
更具结构不同，场效应管分为（）A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管
根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。
单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）AP沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管CN沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管DN沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
单选题结型场效应管可分为（）。AMOS管和MNS管BN沟道和P沟道C增强型和耗尽型DNPN型和PNP型
填空题场效应管按其结构不同常见的两种类型：（）和绝缘栅场效应管。
单选题N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A正极性B负极性C零D不能确定