2、下列说法中，哪些是错误的A．对CMOS结构的NAND3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动能力与低电平驱动能力相同B．对CMOS结构的NAND3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动能力是低电平驱动能力的3倍C．对CMOS结构的NAND3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，低电平驱动能力是高电平驱动能力的3倍D．对CMOS结构的NOR3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动能力是低电平驱动能力的3倍

2、下列说法中，哪些是错误的

A．对CMOS结构的NAND3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动能力与低电平驱动能力相同

B．对CMOS结构的NAND3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动能力是低电平驱动能力的3倍

C．对CMOS结构的NAND3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，低电平驱动能力是高电平驱动能力的3倍

D．对CMOS结构的NOR3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动能力是低电平驱动能力的3倍

参考答案和解析
B

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