硅整流二极管的额定电压是指()。 A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、正向重复峰值电压
硅整流二极管的额定电流是指()。 A、额定正向平均电流B、反向不重复平均电流C、反向重复平均电流D、维持电流
在规定条件下,维持可控硅导通所必需的最小正向电流称为()电流。 A、触发B、正向平均C、维持D、额定
整流二极管加正向电压,起()作用。 A、稳定电压B、导通电流C、其它
下列（）不是可控硅导通的条件。A、阳极和控制极之间加正向电压B、阳极和阴极间加正向电压C、阳极电流大于维持电流D、控制极和阴极间中正向电压
当PN结加正向电压时，（）运动超过了内电场作用下的（）运动，形成较大的正向电流。
可控硅的主要特性参数有：正向阻断峰值电压PFV，反向阻断峰值电压PRV，额定正向平均电流IF，维持电流IH，控制级触发电压Vg，电压上升率dV/dt，电流上升率di/dt，额定结温Tc等。
硅二极管的型号为ZP100—8F，指的是其额定电流为100A，额定电压800V，正向平均电压（），（）的硅整流二极管。
在二极管两端加上正向电压时，电流与电压的关系正向特性。通常硅管为（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
单向可控硅由导通变为截止要满足（）条件。A、升高阳极电压B、降低阴极电压C、断开控制电路D、正向电流小于最小维持电流
在正常条件下可控硅导通时，其门极、阴极间加入一个适当的（）电压和电流。A、触发B、正向触发C、反向触发D、正向导通
硅整流二极管的额定电压是指（）。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复平均电压D、正向不重复平均电压
可控硅控制极在（）条件下才起作用。A、阳极与阴极加有正向电压B、可控硅处于关断状态C、A和B
在判断被测二极管是硅管还是锗管，一般情况下是通过测量（）来判断的。A、正向电阻B、正向电流C、反向电阻D、正向导通电压
硅整流二极管的额定电压是指（）。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、以上答案均不对
在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。
在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约（）时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的门坎电压。A、0.3VB、0.2VC、0.5VD、0.7V
可控硅主要参数有：正向阻断峰值电压、（）、（）、控制极触发电压、维持电流等。
测定硅整流元件的正向压降平均值时，硅整流元件应在额定冷却条件下通过（）。A、反向漏电流；B、正向电流平均值；C、正向电流峰值；D、有效值。
通常所说多少伏的可控硅，是指它的（）是多少伏。A、正向阻断峰值电压B、正向转折电压C、整流电压D、整流电流
单选题可控硅控制极在（）条件下才起作用。A阳极与阴极加有正向电压B可控硅处于关断状态CA和B
单选题下列（）不是可控硅导通的条件。A阳极和控制极之间加正向电压B阳极和阴极间加正向电压C阳极电流大于维持电流D控制极和阴极间中正向电压
单选题交流发电机的硅二极具有单向导电性，有阻止（）的作用。A正向电压B正向电流C反向电压D反向电流
填空题硅整流二极管承受正向电压的阻值很小，约为（）Ω，反向电阻则大于（）Ω，不符合要求时应予更换。