CMOS电路工作电压越低（）。A、开关速度越慢B、功耗越小C、抗干扰能力越强D、驱动能力越强

CMOS电路工作电压越低（）。

  • A、开关速度越慢
  • B、功耗越小
  • C、抗干扰能力越强
  • D、驱动能力越强

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从功耗看CMOS电路和晶体管电路相比()。 A.CMOS电路高得多B.CMOS电路低得多C.两者差不多D.不确定
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CMOS门电路,由于其阈值电压约为电源电压的一半,因而()。 A、其噪声容限较TTL电路较小B、其抗干扰能力较TTL电路稍差C、其噪声容限较TTL电路较大
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修改BIOS设置后不能保存,造成该故障的原因为()。 A.CMOS电池损坏或电压不足B.CMOS跳线问题C.主板电路损坏D.南桥故障
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对于TTL电路和CMOS电路的原理及比较，以下描述中不正确的是______。A.TTL电路是电压控制，CMOS电路是电流控制B.TTL电路速度快，但是功耗大，CMOS电路速度慢，传输延迟时间长C.CMOS电路具有锁定效应D.CMOS电路在使用时不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或下拉电阻
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液晶显示器因为它使用的电压低，功耗小，所以可以和CMOS电路相匹配。
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在一段电路中，端电压越低，则流过这段电路的电流（）。A、越大B、不变C、为零D、越小
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供电电压相同时，CMOS电路与TTL电路输出的高电平与低电平的情况为（）A、CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平高，低电平比TTL输出的低电平低B、CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平高，低电平比TTL输出的低电平高C、CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平低，低电平比TTL输出的低电平低D、CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平低，低电平比TTL输出的低电平高
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对电压、电流的关系叙述正确的是（）A、电压越高，电流越大B、电压越低，电流越小C、在闭合电路中，电流大小与电压有关D、在闭合电路中，电流大小与电压无关
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晶闸管调压电路输出的电压与电流波形都是非正弦波，导通角越（），即输出电压电压越低时，波形与正弦波差别越大。
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在查找CMOS集成电路故障的不能用（）A、断路法B、短路法C、电压法
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TTL电路的电源电压为5V，CMOS电路的电源电压为？
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CMOS电路与TTL电路相比，具备以下特点（）。A、输入电阻大B、功耗低C、电源电压范围宽D、以上都具备
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TTL门电路和CMOS门电路的转折电压分别为（）V和（）V。
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从功耗看CMOS电路和晶体管电路相比（）。A、CMOS电路高得多B、CMOS电路低得多C、两者差不多D、不确定
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开环差模电压增益越高，构成的电路运算精度越高，工作也越稳定。（）
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下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是（）。A、TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。B、TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。C、TTL与非门的输入端可以悬空，CMOS与非门的输入端不可以悬空。D、TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。
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修改BIOS设置后不能保存，造成该故障的原因为（）。A、CMOS电池损坏或电压不足B、CMOS跳线问题C、主板电路损坏D、南桥故障
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受电电压越高电价越高，受电电压越低电价越低
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标准的CMOS门电路的工作电源电压一般为（）伏。
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反映CMOS门电路扩展能力的参数有（）。A、高电平输出电压B、低电平输出电压C、扇入系数D、动态功耗
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如果CMOS电路电源电压与TTL不同，则用TTL电路驱动CMOS电路时，应该采用（）A、电平移动器B、缓冲器C、放大器D、比较器
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单选题在一段电路中，端电压越低，则流过这段电路的电流（）。A越大B不变C为零D越小
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填空题闩锁效应（可控硅效应），是CMOS电路遇到的（）问题。在CMOS电路正常工作时，由于（）的突然被激发，器件电流突然（），甚至很快因Al（），使电路失效。
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填空题标准的CMOS门电路的工作电源电压一般为（）伏。
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单选题对电压、电流的关系叙述正确的是（）A电压越高，电流越大B电压越低，电流越小C在闭合电路中，电流大小与电压有关D在闭合电路中，电流大小与电压无关
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单选题在逻辑功能上，CMOS门电路和TTL电路是相同的，当CMOS的电源电压UDD为（）时，它可与低功耗的TTL电路直接兼容。A18VB5VC12VD32V
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问答题TTL电路的电源电压为5V，CMOS电路的电源电压为？
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