当逆变电路的换流器件为()时,称为基极驱动电路。 A.IGBTB.晶闸管C.晶体管D.GTO
开关量输出信号驱动电路的构成方式有：()。A、大/中/小功率晶体管B、可控硅C、达林阵列驱动器D、固态继电器
下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单。A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场控晶体管
根据功率放大电路中晶体管（）在交流负载线上的位置不同，功率放大电路可分为3种。A、静态工作点B、基极电流C、集电极电压D、集电极电流
为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是一个较大的什么？
桓流驱动电路中加速电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
单结晶体管产生的触发脉冲是（）脉冲；主要用于驱动（）功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为（）脉冲；可以触发（）功率的晶闸管。
在晶体管驱动电路中，开关晶体管的驱动电流IC必须足够大，否则晶体管会增加其管压降来限制其负载电流，从而有可能使晶体管超过允许功耗而损坏。
恒流驱动电路中，电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管开通B、延缓功率晶体管关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
恒流驱动电路中接上反偏驱动电路的主要作用是（）。A、加速功率管关断B、加速功率晶体管开通C、过电流保护D、减小延迟时间
对于功率晶体管的基极驱动电路，驱动电流的后沿应是一个较大的负电流，以利于功率晶体管的（）。A、导通B、寿命C、关断D、饱和
功率晶体管的驱动电路一般有两种类型，即恒流驱动和（）。A、变流驱动B、变压驱动C、比例驱动D、补偿驱动
试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（）。A、抑制电路B、抗饱和电路C、吸收电路
恒流驱动电路中，加速电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管开通B、延缓功率晶体管关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
功率晶体管的驱动电路，一般有恒流驱动电路和（）驱动电种型。A、微分B、积分C、比例D、PID
恒流驱动电路中截上反偏驱动电路的主要作用是（）。A、加速功率管关断B、加速功率晶体管开通C、过电流保护D、减小延迟时间
问答题试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
填空题为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是（）。
单选题功率晶体管的驱动电路一般有两种类型，即恒流驱动和（）。A变流驱动B变压驱动C比例驱动D补偿驱动
单选题当逆变电路的换流器件为（）时，称为基极驱动电路。AIGBTB晶闸管C晶体管DGTO
问答题为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是一个较大的什么？
单选题对于功率晶体管的基极驱动电路，驱动电流的后沿应是一个较大的负电流，以利于功率晶体管的（）。A导通B寿命C关断D饱和
单选题桓流驱动电路中加速电容C的作用是（）。A加快功率晶体管的开通B延缓功率晶体管的关断C加深功率晶体管的饱和深度D保护器件
填空题为了利用功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是（）。
单选题为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（）。A抑制电路B抗饱和电路C吸收电路