常见的步进电机功率驱动电路有高／低压驱动电路,斩波限流驱动电路两种形式,高／低压驱动电路与斩波限流驱动电路相比较,下列说法正确的是:()。 A.功耗小B.电流波形更好C.效率更高D.结构和成本不及斩波限流驱动电路
开关量输出信号驱动电路的构成方式有：()。A、大/中/小功率晶体管B、可控硅C、达林阵列驱动器D、固态继电器
下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单。A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场控晶体管
ODBC规范定义的驱动程序有两种类型：即单层驱动程序和（）
步进电动机功率驱动电路有（）等类型。A、单电压功率驱动B、双电压功率驱动C、斩波恒流功率驱动D、高低压功率驱动E、三电压功率驱动
桓流驱动电路中加速电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
变频器的驱动电路一般有（）驱动电路、（）驱动电路、（）驱动电路和（）驱动电路等。
恒流驱动电路中，电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管开通B、延缓功率晶体管关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
恒流驱动电路中接上反偏驱动电路的主要作用是（）。A、加速功率管关断B、加速功率晶体管开通C、过电流保护D、减小延迟时间
对于功率晶体管的基极驱动电路，驱动电流的后沿应是一个较大的负电流，以利于功率晶体管的（）。A、导通B、寿命C、关断D、饱和
为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）。A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路
试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（）。A、抑制电路B、抗饱和电路C、吸收电路
步进电动机功率驱动单元有单电压驱动、双电压驱动、高低压驱动等类型驱动电路。
为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（）。A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路
恒流驱动电路中，加速电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管开通B、延缓功率晶体管关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
功率晶体管的驱动电路，一般有恒流驱动电路和（）驱动电种型。A、微分B、积分C、比例D、PID
恒流驱动电路中截上反偏驱动电路的主要作用是（）。A、加速功率管关断B、加速功率晶体管开通C、过电流保护D、减小延迟时间
填空题ODBC规范定义的驱动程序有两种类型：即单层驱动程序和（）
问答题试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
单选题功率晶体管的驱动电路一般有两种类型，即恒流驱动和（）。A变流驱动B变压驱动C比例驱动D补偿驱动
单选题桓流驱动电路中加速电容C的作用是（）。A加快功率晶体管的开通B延缓功率晶体管的关断C加深功率晶体管的饱和深度D保护器件
单选题为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（）。A抑制电路B抗饱和电路C吸收电路
单选题为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）。Adu/dt抑制电路B抗饱和电路Cdi/dt抑制电路D吸收电路