129、当采用电磁单元为电源测量电容式电压互感器的电容分压器 C1和 C2的电容量和介损时，必须严格按照试验规程规定进行。（ ）
测量C1与C2相串联的电容式电压互感器绝缘介损时，一般情况下C1＜C2/5，所以测量时主要反映（C1）的介损值。
在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？
油浸式电流互感器采用比较法带电测试tanδ及电容量时，同相设备介损测量差值与初始测量值差值比较，变化范围不超过_A_，电容量比值与初始测量电容量比值比较，变化范围不超过（）。A、±0.3%，±5%B、±0.4%，±5%C、±0.3%，±4%D、±0.5%，±4%
试品绝缘表面脏污，受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品介损和电容量测量结果的影响程度是（）A、试品电容量越大，影响越大B、试品电容量越小，影响越小C、试品电容量越小，影响越大D、与试品电容量的大小无关
用未端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的介损tgδ时，其电容量应是整体电容量的（）。A、1/8B、1/4C、1/2D、1/6
测量被试设备的介损值，应该使用（）。A、直流发生器B、交流耐压装置C、电容电桥测试仪D、介质损耗测量仪
当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
在现场测量介损tgσ时，如果试验电源的电压波形不好，含有较大的（）分量，则电桥很难（）。
变压器低电压试验验收进行介质损耗因数、电容量测量时，测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。A、10B、15C、20D、25
相对介质损耗因数和电容量比值检测，同相设备介损测量值与初始测量值比较，变化范围不超过（）。A、±0.3%B、±0.2%C、±0.4%D、±0.1%
若电容量和介损试验结果超标，结合（）等试验项目结果综合判断。A、绝缘电阻B、绝缘油试验C、耐压D、红外成像E、高压介损
用QS1型西林电桥测量介损时，怎样选择分流器位置？若被试品电容量约为4000pF（U＝10kV）分流器应在何位置？
测量变压器绕组的介损值时，介损测试仪应该使用正接法。（）
测量介损tgδ和测量绝缘电阻一样，试品的表面泄漏对测量结果有一定影响，并且（）。A、试品电容量较大，影响较小B、试品电容量较大，影响较大C、与试品电容量无关
测量绝缘介质出现负值的主要原因是（）A、标准电容有介损且大于被试品的介损B、电场干扰C、空间干扰D、湿度影响
用介损仪反接线测量小电容量试品（＜50PF）的介损tgδ及Cx时，在附近处有物体（如梯子等）情况下测得的电容值较物体拆除拆除后测得的电容值（）。A、大B、相等C、小D、以上均不是
当标准电容器有很大的介损时，实测试品（绝缘）介损一定为负值。
在现场测量介损tgδ时，如果试验电源的电压波形不好，含有较大的（）分量，则电桥很难（）。在与电气化铁路距离较近的变电站测量介损tgδ时上述情况尤为严重。
用自激法测量110kV电容式电压互感器介损及电容量，操作不正确的是（）。A、拆除高压引线B、将中间变压器高压绕组接地端断开C、电桥输出电压10000VD、电桥输出电压不能过高
用正接接线方式，测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ，如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏（接地小套管）接触不良，影响介损测量结果准确性。
使用高压电桥测量耦合电容器（包括断路器的断口均压电容器）的介损和电容时，宜采用（），反接线测量误差较（）。A、反接；小B、正接；大C、反接；大D、正接；小
进行绝缘介损测量时，当标准电容受潮而有较大介损时会使实测绝缘介损减少。（）
当采用电磁单元为电源测量电容式电压互感器的电容分压器C1和C2的电容量和介损时，必须严格按照试验规程规定。（）
下列哪项试验是电容式电压互感器的诊断性试验项目（）。A、红外热成像检测B、电容分压器电容量测试C、电容分压器介损测量D、局部放电测量
测量主绝缘为电容式结构的电流互感器的的介损及电容量时，有末屏的应尽量使用（）进行测量。A、正接线B、反接线C、自激法D、末屏加压法
填空题在现场测量介损tgσ时，如果试验电源的电压波形不好，含有较大的（）分量，则电桥很难（）。