测量C1与C2相串联的电容式电压互感器绝缘介损时,一般情况下C1<C2/5,所以测量时主要反映(C1)的介损值。

测量C1与C2相串联的电容式电压互感器绝缘介损时,一般情况下C1<C2/5,所以测量时主要反映(C1)的介损值。


相关考题:

129、当采用电磁单元为电源测量电容式电压互感器的电容分压器 C1和 C2的电容量和介损时,必须严格按照试验规程规定进行。( )

电容量为C1和电容量为C2的电容相串联后,总等效电容C0()。A、C0=C1+C2B、C0=C1•C2/(C1+C2)C、C0=(C1+C2)/(C1•C2)

在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时,使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些?

采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时,其值主要反映()A、全部绕组的绝缘状态B、1/2绕组的绝缘状态C、1/4绕组绝缘状态D、只反映下部铁芯绕组绝缘状态,即110V级1/2绕组、220kV级1/4绕组的绝缘状态

用正接线法测量绝缘介损一定比反接法测量的介损值要大。

电容器C1、C2并联后,其总电容为()A、C1与C2之和B、C1与C2之差C、C1与C2之积D、C1与C2之比

电容C1=1法拉与电容C2=2法拉串联,已知C1上的电压为10伏特,则C2上的电压降为()。A、10VB、5VC、20V

将电容器C1(100V、20uF)和C2(160V、20uF)串联接到250V电压上,则()。A、C1、C2均正常工作B、 C1击穿,C2正常工作C、C1、C2均击穿D、C1正常工作,C2击穿

四端钮接地电阻测量仪P2、C2、P1、C1端钮在测量接地电阻时的用途为()。A、P2、C2短接与被测接地体相连B、P1、C1短接与被测接地体相连C、P1接电位辅助探D、C2接电流辅助探针E、C1接电流辅助探针

电容式差压变送器()的任务是将(C2一C1)与(C2十C1)的比值转换为电压或电流A、测量膜盒B、测量膜片C、传送部分D、隔离膜片

为了减小测量误差,使用双臂电桥时必须注意四根引出线C1、P1、C2、P2的连接方法,在测量时应将电位接头()靠近被测电阻的两端。A、C1、P1B、C2、P2C、P1、P2D、C1、C2

当被试品电容量很小,测量其介损tgδ时,介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。

断路器断口均压电容器组装前应按规程完成()。A、电容值测量B、绝缘电阻测量C、高压介损测量D、耐压试验

在一般情况下,介损tgδ试验主要反映设备绝缘的整体缺陷,而对局部缺陷反映不灵敏。

测量变压器绕组的介损值时,介损测试仪应该使用正接法。()

若测量一台110kV油浸式电流互感器主绝缘介损为0.75%,绝缘电阻为10000MΩ,末屏对地的绝缘电阻为120MΩ,末屏介损为2.5%,该设备()。A、可以继续运行,主绝缘良好,且介损值在规程规定值以内B、可以继续运行,缩短试验周期C、可以继续运行,运行中末屏接地,末屏对地的绝缘电阻测量结果仅做参考D、不可以继续运行,测量值超出规程规定值

测量绝缘介质出现负值的主要原因是()A、标准电容有介损且大于被试品的介损B、电场干扰C、空间干扰D、湿度影响

用反接线测量电磁式电流互感器的介损,一次加压,二次开路,对其测量介损tgδ值影响不大。

测量CVT分接电容C2的介损和电容量时,C2的“δ”点接介损电桥的高压端,主电容C1高压端接介损电桥的“Cx”端,用正接线法测试。由于“δ”点绝缘水平有限,为保护“δ”,试验电压不超过()。A、10000VB、5000VC、2500VD、1000V

在现场测量介损tgδ时,如果试验电源的电压波形不好,含有较大的()分量,则电桥很难()。在与电气化铁路距离较近的变电站测量介损tgδ时上述情况尤为严重。

由高压电容器C1与低压电容器C2串联组成的分压器,在测量交流高压时,应用()测量C2上的电压U2,再按()算出电压U1。

在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时,若存在电场干扰,则在任意测试电源极性的情况下,所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。

用反接线方式,测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ,如介损仪本体接地不良,与其介损测量结果无关。

用正接接线方式,测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ,如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏(接地小套管)接触不良,影响介损测量结果准确性。

进行绝缘介损测量时,当标准电容受潮而有较大介损时会使实测绝缘介损减少。()

当采用电磁单元为电源测量电容式电压互感器的电容分压器C1和C2的电容量和介损时,必须严格按照()规定进行。

测量主绝缘为电容式结构的电流互感器的的介损及电容量时,有末屏的应尽量使用()进行测量。A、正接线B、反接线C、自激法D、末屏加压法