电力半导体器件额定电流的选择依据是必须大于器件在电路中实际承受的平均电压,并有2—3倍的裕量。

电力半导体器件额定电流的选择依据是必须大于器件在电路中实际承受的平均电压,并有2—3倍的裕量。


相关考题:

下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()。 A.GTRB.MOSFETC.IGBT

开关稳压电源按照电力半导体器件在开关过程中是否承受电压、电流应力划分,可以分为( )。 A、软开关B、硬开关C、降压型D、升压型

电力电子电路一般都由功率半导体器件组成。()

理想的功率半导体器件应该是能承受高电压、大电流的器件。() 此题为判断题(对,错)。

按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,可以将电力电子器件分为______、______和______。

下列大功率半导体器件中的()是全控型器件,但不是电流型器件。 A、GTRB、SCRC、IGBTD、GTO

第一台计算机采用的硬件逻辑器件是()。A半导体器件B集成电路C电子管D光电管

整流电路主要是利用()实现的。A、半导体器件的单向导电性B、半导体器件的电容效应C、半导体器件的击穿特性D、半导体器件的温度敏感性

数字电路的核心是半导体器件。

在射频电路分析中,能产生信号频率以外的新频率分量的元器件属于有源元器件,可能成为形成干扰的重要环节。下列元器件中属于有源元器件的有()A、宽带变压器B、电解电容器C、半导体二极管D、碱性干电池

在射频电路分析中,能产生信号频率以外的新频率分量的元器件属于有源元器件,可能成为形成干扰的重要环节。下列元器件中属于有源元器件的有()A、半导体三极管B、可调电感器C、电阻假负载D、晶体滤波器

数字电路中的半导体器件一般都工作在截止和()状态。

功率器件串联使用时可以获得更大的额定电流,但必须考虑器件特性、驱动电路以及电路布局等问题。

具有自关断能力的电力半导体器件称为()。A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、触发型器件

不间断电源UPS电能转换电路不论是主电路还是其他控制电路,均采用“()”。A、三极管器件B、集成电路器件C、半导体固体器件D、二极管

各种电力半导体器件的额定电流,都是以平均电流表示的。

反映实际电路器件耗能电磁特性的理想电路元件是()元件;反映实际电路器件储存磁场能量特性的理想电路元件是()元件;反映实际电路器件储存电场能量特性的理想电路元件是()元件,它们都是无源()元件。

型号为KP50-7的半导体器件,是一个额定电流为50A的普通晶闸管。

接电路元器件时,主要应关注元器件的耐压和能承受的功率。

型号为KP50-7的半导体器件,是一额定电流为50A的普通晶闸管。

在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,晶闸管属于()A、不可控器件B、半控器件C、全控器件D、复合型器件

下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()。A、GTRB、MOSFETC、IGBT

集成电路是把二极管、三极管、电阻、电容、电感、电位器等元器件按电路的结构要求制作在一块半导体芯片上,然后封装而成的半导体器件

单选题具有自关断能力的电力半导体器件称为()。A全控型器件B半控型器件C不控型器件D触发型器件

单选题不间断电源UPS电能转换电路不论是主电路还是其他控制电路,均采用“()”。A三极管器件B集成电路器件C半导体固体器件D二极管

填空题半导体集成电路是采用半导体工艺技术,在硅基片上制作包括电阻、电容、()、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。