光电质量衰减系数与原子序数、光子能量之间的关系可表示为（）。
光电质量衰减系数与原子序数、光子能量之间的关系可表示为（）。
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关于电子对效应的发生几率正确的是( )A.与物质的原子序数的平方成正比，与入射光子能量的对数成正比B.与物质的原子序数的平方成反比，与入射光子能量的对数成正比C.与物质的原子序数的平方成正比，与入射光子能量成正比D.与物质的原子序数的平方成反比，与入射光子能量成正比E.与物质的原子序数的平成正比，与入射光子能量的对数成反比
关于光电效应的产生条件及发生几率，叙述错误的是A．入射光子的能量与轨道电子结合能必须“接近相等”B．光子能量过大，反而会使光电效应的几率下降C．发生几率大约与能量的兰次方成反比D．几率与原子序数的四次方成反比E．光电效应不产生有效的散射
质量衰减系数μ／ρ,质量能量转移系数μtr／ρ和质量能量吸收系数μen／ρ三者之间的关系是 A、μ／ρ>μtr／ρ=μen／ρB、μ／ρ>μtr／ρ>μen／ρC、μ／ρμen／ρE、以上都不对
下列关于光电效应的说法哪一种是正确的A、光电效应是光子把部分能量转移给某个束缚电子使之变为光电子的过程B、光电效应是光子把全部能量转移给原子核使电子变为光电子的过程C、光电效应是光子把全部能量转移给某个束缚电子使之变为光电子的过程D、靶物质原子序数低时发生光电效应的几率较高E、光电效应不需要原子核参与作用
以下关于光电效应的叙述，哪一条是错误的（）A、光电效应发生几率随光子能量的增大而减小B、光电效应发生几率随材料的原子序数增大而增大C、光电效应过程中除产生光电子外，有时还会产生反冲电子D、光电效应发射出的电子的能量肯定小于入射光子的能量
在10～100keV光子能量范围内，光子能量在10keV时光电吸收为95%以上，康普顿吸收为5%。光子能量为100keV时，康普顿吸收占95%以上。下列叙述正确的是（）A、随光子能量升高光电吸收增加B、随光子能量升高康普顿吸收减少C、低管电压能产生高的软组织对比D、康普顿吸收能提高对比度E、光电吸收能抑制软组织对比度
光子经过介质衰减，其线性衰减系数依赖于（）A、光子强度，衰减介质的原子序数B、光子强度，衰减介质的阻止本领C、光子能量，衰减介质的原子序数D、光子能量，衰减介质的厚度E、光子能量，衰减介质的质量
下列关于光电效应的说法正确的是（）A、光电效应是光子把部分能量转移给某个束缚电子使之变为光电子的过程B、光电效应是光子把全部能量转移给原子核使电子变为光电子的过程C、光电效应是光子把全部能量转移给某个束缚电子使之变为光电子的过程D、靶物质原子序数低时发生光电效应的几率较高E、光电效应不需要原子核参与作用
下列对光电效应的叙述中，哪些是正确的（）A、光电效应发生的概率随光子的能量增大而减小B、光电效应发生的概率随材料的原子序数增大而增大C、光电效应过程除产生光电子外，有时还会产生反冲电子D、光电效应发射出的电子能量肯定小于入射光子的能量E、光电效应作用对象为轨道电子
在低能时光电效应是γ射线与物质相互作用的最主要形式，下列说法正确的是（）。A、入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正前方（0°）发射B、入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正后方（180°）发射C、入射γ光子能量很低时，光电子在垂直于入射γ光子方向上发生D、入射γ光子能量增加时，光电子逐渐向后角发射E、入射γ光子能量减少时，光电子逐渐向前角发射
单选题以下关于光电效应的叙述，哪一条是错误的（）A光电效应发生几率随光子能量的增大而减小B光电效应发生几率随材料的原子序数增大而增大C光电效应过程中除产生光电子外，有时还会产生反冲电子D光电效应发射出的电子的能量肯定小于入射光子的能量
单选题光子经过介质衰减，其线性衰减系数依赖于（）A光子强度，衰减介质的原子序数B光子强度，衰减介质的阻止本领C光子能量，衰减介质的原子序数D光子能量，衰减介质的厚度E光子能量，衰减介质的质量
单选题在低能时光电效应是γ射线与物质相互作用的最主要形式，下列说法正确的是（ ）。A入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正前方（0。）发射B入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正后方（180。）发射C入射γ光子能量很低时，光电子在垂直于入射γ光子方向上发生D入射γ光子能量增加时，光电子逐渐向后角发射E入射γ光子能量减少时，光电子逐渐向前角发射
单选题关于光电效应，下列哪项不正确？（ ）A光子能量与电子结合能必须“接近相等”才容易产生光电效应B轨道电子结合得越紧越容易产生光电效应C光电效应的概率随原子序数的增高而很快增加D光电效应发生的概率和原子序数的平方成正比E在摄影用X线能量范围内，光电效应是物质相互作用的主要形式之一