3AX31三极管属于()型三极管。 A、PNP型锗材料B、NPN型锗材料C、PNP型硅材料D、NPN型硅材料
采用雪崩光电二极管的要求是有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路。()
硅和锗三极管的门电压不同，分别为（）伏。A、0.2，0.5B、0.2，0.3C、0.5，0.2D、0.3，0.2
目前，大容量的整流元件一般都采用（）材料制造。A、锗B、硅C、呻
国产二极管型号的意义，用拼音字母表示器件的材料和极性，A代表（）。A、材料B、P型锗材料C、N型锗材料D、P型硅材料
PIN光电二极管的主要特性是（）A、波长响应特性B、量子效率和光谱特性C、响应时间和频率特性D、噪声
硅管与锗管的死区电压分别为（）。A、0.7、0.3B、0.3、0.7C、0.5、0.2D、0.2、0.5
硅管与锗管的死区电压分别为（）。A、0.7，0.3B、0.3，0.7C、0.5，0.2D、0.2，0.5
工作在短波长区的雪崩光电二极管是（）。A、SI-APDB、Ge-APDC、InGaAs-APD
为什么锗半导体材料最先得到应用，而现在的半导体材料却大都采用硅半导体？
雪崩光电二极管（APD）利用（）使光电流得到倍增。A、灵敏度效应B、温度效应C、响应度效应D、雪崩效应
由于PN结内存在着内电场，因此在PN结两边就有电位差。下列说法正确的是（）。A、在硅材料和锗材料的PN结分别约为0.7V和0.4VB、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.9V和0.2VC、电位降落的方向和内电场方向相反D、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.5V和0.2V
3BX31是（）三极管。A、硅材料PNP型B、硅材料NPN型C、锗材料PNP型D、锗材料NPN型
半导体色敏传感器又称为（）。A、双结光电二极管B、雪崩式光电二极管C、PIN型硅光电式二极管D、光电池
采用硅材料的雪崩式光电二极管的响应波长范围（）。A、0.4-0.5μmB、0.4-1.0μmC、0.5-1.0μmD、0.5-1.5μm
根据三极管结构的不同有NPN和PNP两种，而根据材料的不同分为（）两种。A、硅和磷B、锗和硼C、硅和锗
采用雪崩光电二极管（APD）的要求是有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路。
硅光电池的光谱响应波长范围比锗光的光谱响应波长范围广。
若测得放大电路中某三极管三个管脚电位分别为5V，5.3V和10V，则该管一定是（）A、硅材料NPN管B、硅材料PNP管C、锗材料NPN管D、锗材料PNP管
填空题硅光电池、PIN型光电二极管、和雪崩光电二极管，三者中时间常数最大的是（）。
单选题晶体三极管3DG12的材料和极性是（）APNP型，锗材料BNPN型，锗材料CPNP型，硅材料DNPN型，硅材料
单选题有一个二极管的标号为ZCP18，其中“C”表示（）。AP型锗材料BN型锗材料CP型硅材料DN型硅材料
单选题雪崩光电二极管（APD）利用（）使光电流得到倍增。A灵敏度效应B温度效应C响应度效应D雪崩效应
单选题某放大电路的三极管三个脚对地电位分别为-2.3V，-3V，-9V，则可判断该管的材料和类型是（）A硅、NPNB硅、PNPC锗、NPND锗、PNP
单选题有一个二极管的标号为：2CP18，其中“C”表示（）。AP型锗材料BN型锗材料CP型硅材料DN型硅材料