采用雪崩光电二极管的要求是有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路。()

采用雪崩光电二极管的要求是有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路。()

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相关考题：

雪崩光电二极管是利用PN结在()反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管A、低B、高C、高低均可
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测量转换电路中采用相敏检波电路,主要是为了()。 A.反映位移的大小和方向B.减少零点残余电压C.温度误差补偿
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光纤通信系统中最常用的光检测器有()和雪崩光电二极管。
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采用雪崩光电二极管(APD)的要求是有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路。() A.正确B.错误
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单管共射极放大电路处于饱和状态，要使电路恢复成放大状态，通常采用的方法是（）。A、增大偏置电阻B、减小偏置电阻C、增大三极管负载电阻D、增大电源电压E、减少电源电压
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为保持稳定的增益，雪崩光电二极管需要在温度变化的情况下进行（）补偿。A、湿度B、温度C、电压D、电流
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随着温度升高，雪崩光电二极管（APD）的倍增增益将（）A、稳步递增B、快速递增C、下降D、不变
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雪崩光电二极管（APD）利用（）使光电流得到倍增。A、灵敏度效应B、温度效应C、响应度效应D、雪崩效应
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光电检测器的种类有PN结光电二极管和（）三种。A、发光二极管、PIN光电二极管B、APD雪崩光电二极管、双基极二极管C、PIN光电二极管、APD雪崩光电二极管D、双基极二极管、混频二极管
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常用的光电检测器有光电二极管（PIN）和雪崩光电二极管（APD）两种。
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在电动Ⅲ型仪表电路中的报警，电路RC环节是（）。A、抗随机干扰信号B、给BG加一个偏置电压C、是一个校正补偿环节
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简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应
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光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加（）偏置电压。
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采用硅和锗材料的雪崩光电二极管的响应波长范围分别为0.5~1.5μm和1~1.5μm
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光接收机中，雪崩光电二极管引入的噪声为（）A、光电检测器的暗电流噪声、雪崩管倍增噪声、光接收机的电路噪声B、量子噪声、雪崩管倍增噪声、光接收机的电路噪声C、量子噪声、光电检测器的暗电流噪声、光接收机的电路噪声D、量子噪声、光电检测器的暗电流噪声、雪崩管倍增噪声
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采用雪崩光电二极管（APD）的要求是有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路。
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光电二极管能将（）信号转变为（）信号，它工作时需加反向偏置电压。
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齐纳击穿时的击穿电压约（）V，当反向击穿电压（）时，为雪崩击穿。齐纳击穿具有电压温度系数，而雪崩击穿具有（）电压温度系数。
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光电二极管加（）电压能产生电流，发光二极管（）电压下工作。A、反向偏置，正向偏置B、正向偏置，反向偏置C、正向偏置，正向偏置D、反向偏置，反向偏置
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单选题以下关于“光电二极管与光电池不同之处”的叙述不正确的是（）A它们的掺杂浓度不同，光电池掺杂浓度较高，而光电二极管掺杂浓度低；B它们的电阻率不同，光电池的电阻率低；C工作电压偏置条件不同，光电池通常在零偏置下工作，而光电二极管通常在反向偏置下工作；D它们的光电流的大小不同，光电池的光电流小得多，通常在微安级。
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判断题采用雪崩光电二极管（APD）的要求是有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路。A对B错
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单选题APD光电二极管出现雪崩击穿是因为（ ）。A载流子在耗尽区的漂移时间过长B将光信号转换为电信号的效率太低C其所加的反向偏置电压过大D其注入的非平衡载流子扩散过快
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问答题简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应
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单选题雪崩光电二极管（APD）利用（）使光电流得到倍增。A灵敏度效应B温度效应C响应度效应D雪崩效应
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单选题减小光电二极管时间常数的基本方法是：（）A减小光电二极管的接受光的区域的面积；B减小光电二极管的P—N结的厚度；C减小后级电路的负载电阻的阻值；D给光电二极管加较大的反向偏置电压。
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单选题为保持稳定的增益，雪崩光电二极管需要在温度变化的情况下进行（）补偿。A湿度B温度C电压D电流
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单选题光接收机中，雪崩光电二极管引入的噪声为（）A光电检测器的暗电流噪声、雪崩管倍增噪声、光接收机的电路噪声B量子噪声、雪崩管倍增噪声、光接收机的电路噪声C量子噪声、光电检测器的暗电流噪声、光接收机的电路噪声D量子噪声、光电检测器的暗电流噪声、雪崩管倍增噪声
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