简述IGBT的特点。

简述IGBT的特点。


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5、关于IGBT,下面()不正确。A.IGBT是复合型器件,输入端是MOSFET,输出端是双极晶体管;B.IGBT存在电导调制效应;C.IGBT的开关速度较功率MOSFET快;D.IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件

23、非对称IGBT就是指版图结构不对称的IGBT。

什么是IGBT?IGBT为何在变频器件中得到广泛应用?

下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有A.IGBT开关速度高于电力MOSFETB.IGBT是电压驱动型器件C.电力MOSFET存在二次击穿问题D.IGBT具有擎住效应

16、关于IGBT,下面()正确。A.IGBT是复合型器件,输入端是MOSFET,输出端是双极晶体管;B.IGBT存在电导调制效应;C.IGBT的开关速度较功率MOSFET快;D.IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件

30、下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有A.IGBT开关速度高于电力MOSFETB.IGBT是电压驱动型器件C.电力MOSFET存在二次击穿问题D.IGBT具有擎住效应

3、3.对晶闸管触发电路有哪些基本要求?IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?

下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 。A.IGBT是电压驱动型器件B.IGBT具有擎住效应C.IGBT开关速度高于电力MOSFETD.电力MOSFET存在二次击穿问题

IGBT的特点说法不正确的是()A.IGBT的研制成功为斩波器,逆变器,变频器的高效化 提供了有利条件B.IGBT目前没有抗短路能力C.IGBT是电压型驱动器件D.IGBT的设计中需要提供过电压保护