探头中压电晶片的基频取决于()。A、激励电脉冲的宽度B、发射电路阻尼电阻的大小C、晶片材料和厚度D、晶片的机电耦合系数

探头中压电晶片的基频取决于()。

  • A、激励电脉冲的宽度
  • B、发射电路阻尼电阻的大小
  • C、晶片材料和厚度
  • D、晶片的机电耦合系数

相关考题:

超声波探伤激励晶片振动的电脉冲产生于( )。A、接收电路B、同步电路C、发射电路D、扫描电路

常用压电晶片基频主要取决于电压。 ( )此题为判断题(对,错)。

常用压电晶片基频主要取决于发射电压幅度。() 此题为判断题(对,错)。

探头中压电晶片的基频取决于()A.激励电脉冲的宽度B.发射电路阻尼电阻的大小C.晶片材料和厚度D.晶片的机电耦合系数

有晶片所发射的超声波声束的扩散主要取决于()A.探伤类型B.晶片背衬的致密性C.频率和晶片尺寸D.脉冲宽度

压电晶片的压电电压常数大,则说明该晶片发射性能好。

压电晶片的基频()。A、是所加电脉冲持续时间的函数B、是仪器接收器放大特性的函数C、是晶片厚度的函数D、以上都不对

超声波探头中的匹配吸收块(),其作用是阻尼晶片的振动使脉冲便窄,限制从晶片背面发射的声波,以防止出现杂波。探头若不加阻尼块,始脉冲应会变(),盲区变(),分辩力()

直探头中阻尼块的作用是()。A、对晶片振动起阻尼作用B、吸收晶片背面发出的杂波C、对晶片起支撑作用D、以上都是

为了从换能器获得最高灵敏度:()A、应减小阻尼块B、应使用大直径晶片C、应使压电晶片在它的共振基频上激励D、换能器频带宽度应尽可能大

有晶片所发射的超声波声束的扩散主要取决于()A、探伤类型B、晶片背衬的致密性C、频率和晶片尺寸D、脉冲宽度

直探头的压电晶片发射纵波,斜探头的压电晶片发射横波、表面波或板波。

探头中使用压电陶瓷晶片的优点是()。A、激励电脉冲的宽度B、发射电路阻尼电阻的大小C、晶片的材料和厚度D、晶片的机电耦合系数

超声波探头中的压电晶片有压电效应,当高频电脉冲激励压电晶片时,发生逆压电效应,将(),探头发射超声波。

探头中的换能器通常用压电晶片来制作,当压电晶片受发射电脉冲激励后产生振动,即可发射声脉冲,为()效应。A、逆压电B、正压电C、压电D、压差

发射部分产生约500V以上的高压电脉冲,这个是电脉冲加到压电晶片上能使晶片发生()。A、声电变换B、超声波C、触发信号电压D、低频脉冲

探头的频率取决于()。A、晶片的厚度B、晶片材料的声速C、晶片材料的声阻抗D、晶片材料的密度

常用压电晶片基频主要取决于电压。

若压电晶片的厚度为30mm,晶片的声速为3000m/s,则发射声波的频率为()。

单选题探头中压电晶片的基频取决于()A激励电脉冲的宽度B发射电路阻尼电阻的大小C晶片材料和厚度D晶片的机电耦合系数

单选题探头的频率取决于()。A晶片的厚度B晶片材料的声速C晶片材料的声阻抗D晶片材料的密度

单选题超声波探伤激励晶片振动的电脉冲产生于()。A接收电路B同步电路C发射电路D扫描电路

填空题若压电晶片的厚度为30mm,晶片的声速为3000m/s,则发射声波的频率为()。

单选题有晶片所发射的超声波声束的扩散主要取决于()A探伤类型B晶片背衬的致密性C频率和晶片尺寸D脉冲宽度

单选题为了从换能器获得最高灵敏度:()A应减小阻尼块B应使用大直径晶片C应使压电晶片在它的共振基频上激励D换能器频带宽度应尽可能大

判断题常用压电晶片基频主要取决于电压。A对B错

单选题直探头中阻尼块的作用是()。A对晶片振动起阻尼作用B吸收晶片背面发出的杂波C对晶片起支撑作用D以上都是