霍尔器件是一种采用半导体材料制成的()器件。 A、磁电转换B、光电转换C、压电转换D、温度转换
半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。一种是（），另一种是（）。
哪种半导体材料具有记忆特征（）A、本征半导体B、化合物半导体C、有机半导体D、玻璃半导体
氧化铜是一种不稳定的化合物，加热时（），在大气压下，当温度高于1060℃时，氧化铜完全转变成 氧化亚铜，所以铜的熔体中只有氧化亚铜而无氧化铜。
氮化镓、碳化硅、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。
半导体材料有很多种，按化学成分可分（）A、元素半导体B、非元素半导体C、单一半导体D、化合物半导体E、混合物半导体
内光电效应是半导体材料在光的照射发生电阻减小的光导放电效应，最早由英国科学家史密斯在1873年研究半导体材料硅晶体时发现。（）
目前国内半导体气敏检测仪所采用的检测元件有（）半导体和（）半导体。A、氧化锌；氧化铝B、氧化锡；氧化锌C、氧化锡；氧化铝D、氧化锌；氧化铜
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。A、非本征B、本征
为什么锗半导体材料最先得到应用，而现在的半导体材料却大都采用硅半导体？
晶闸管元件是一种用半导体材料制成的可控（）元件。它的单向导电与否是（）的。
（）是超导化合物材料。A、铅B、铌钛合金C、铌锡D、氧化铜
下列物体是半导体的有（）A、氧化铜B、云母C、硅D、银
当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时，将导致半导体材料（）。A、载流子数增加，电阻减小B、载流子数减少，电阻减小C、载流子数增加，电阻增大D、载流子数减少，电阻增大
半导体应变片的灵敏系数比金属丝（），但是半导体材料的温度系数（），应变时非线性比较（），适用范围（）。工作原理基于半导体材料的（）。
电池电极是一种（）材料.A、导体B、半导体C、超导体D、绝缘体
铜被氧化后成为氧化铜。氧化铜是（）。A、导体B、半导体C、绝缘体D、超导体
判断题氮化镓、碳化硅、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。A对B错
单选题哪种半导体材料具有记忆特征（）A本征半导体B化合物半导体C有机半导体D玻璃半导体
单选题对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。A非本征B本征
填空题碳化硅（SiC）是一种常见的半导体材料，当产生晶格振动时，会形成（）支声学支格波和（）支光学支格波。
单选题若一种材料的电阻率随温度升高先下降后升高，则该材料是（）。A本征半导体B金属C化合物半导体D掺杂半导体
填空题晶闸管元件是一种用半导体材料制成的可控（）元件。它的单向导电与否是（）的。