晶体管的发射区的作用是向基区发射自由电子,集电区的作用是收集这些自由电子。() 此题为判断题(对，错)。
三极管的反向电流ICBO是由()组成的。 A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、带电离子
3AX31三极管属于()型三极管。 A、PNP型锗材料B、NPN型锗材料C、PNP型硅材料D、NPN型硅材料
三极管3DG6是()三极管。 A、PNP型锗B、NPN型锗C、PNP型硅D、NPN型硅
NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。
PNP三极管工作特点是（）.A、发射区发射电子，集电区收集电子B、发射区发射空穴，集电区收集电子C、发射区发射电子，集电区收集空穴D、发射区发射空穴，集电区收集空穴
当电源与外电路连接时，电源的电动势维护电路中的电位差，外电路电流的方向从（）极流向（）极，这样电源就维持整个电路不断地工作。
对NPN三极管来说，下列说法正确的是（）。A、当发射极正向偏置时，从发射区来的少数截流子电子很容易越过发射区扩散到基区；B、扩散到基区的电子全被空穴复合掉了；C、外电路不断地向发射区补充电子，以维持多数载流子的浓度差；D、以上说法都错。
三极管的电流放大作用取决于电子在（）中扩散与复合的比例。A、基极B、基区C、集电压D、发射区
如果不断地向土壤供水，土壤水分就可以维持不饱和流运动状态。
三极管的型号为3DG6，它是（）三极管。A、PNP型锗B、NPN型锗C、PNP型硅D、NPN型硅
叙述晶体三极管电流的传输过程（）。A、发射区向基区注入载流子过程B、少数载流子，在基区扩散与复合过程C、集电区收集载流子的过程D、基区向发射区注入载流子过程
3DG4C表示（）A、NPN型硅材料高频小功率三极管；B、PNP型硅材料高频小功率三极管；C、NPN型锗材料高频大功率三极管；D、PNP型锗材料低频小功率三极管
3AD18A、表示（）A、NPN型锗材料高频小功率三极管；B、PNP型锗材料低频大功率三极管；C、NPN型硅材料低频小功率三极管；D、NPN型硅材料高频小功率三极管
无论是NPN型管还是PNP型管，它们内部均含有三个区，即发射区、基区和（）。
在放大区，对NPN型的三极管有电位关系，UC（）UB（）UE。
三极管最薄的区是（）。A、发射区B、集电区C、基区
NPN三极管有电流放大作用，它导通的必要条件是发射结加（）向电压，集电结加（）向电压。
半导体三极管工作过程中（）。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。
判断题如果不断地向土壤供水，土壤水分就可以维持不饱和流运动状态。A对B错
判断题标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。A对B错