NPN型三极管的基区中多数载流子是电子

NPN型三极管的基区中多数载流子是电子


相关考题:

在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴,空穴B、空穴,电子C、电子,电子D、电子,空穴

三极管的反向电流ICBO是由()组成的。 A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、带电离子

在N型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 此题为判断题(对,错)。

P型半导体,又称空穴型半导体,这种半导体空穴是多数载流子,电子是少数载流子。

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

N型半导体中多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。

N型半导体中自由电子是多数载流子。

对NPN三极管来说,外电路不断地向发射区补充电子,以维持多数载流子的浓度差。

对NPN三极管来说,下列说法正确的是()。A、当发射极正向偏置时,从发射区来的少数截流子电子很容易越过发射区扩散到基区;B、扩散到基区的电子全被空穴复合掉了;C、外电路不断地向发射区补充电子,以维持多数载流子的浓度差;D、以上说法都错。

NPN型三极管的发射区中多数载流子是电子

在N型半导体中,()是多数载流子。A、空穴B、硅C、电子D、锗

晶体三极管的基区一般做得很薄,且掺杂很轻,多数载流子的浓度很高。

N型半导体中,多数载流子是(),P型半导体中,多数载流子是()。A、正离子B、自由电子C、空穴D、负离子E、质子F、中子

叙述晶体三极管电流的传输过程()。A、发射区向基区注入载流子过程B、少数载流子,在基区扩散与复合过程C、集电区收集载流子的过程D、基区向发射区注入载流子过程

N型半导体中,自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。

P型半导体中的多数载流子是()A、自由电子B、空穴C、正离子

P型半导体中的多数载流子是(),N型半导体中的多数载流子是电子。

半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。

P型半导体的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。

三极管工作在放大状态时,发射区是()载流子,基区则是作为输送和控制载流子的基地,集电区是()载流子的。

N型半导体中多数载流子是(),P型半导体中多数载流子是()。

P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。()

在N型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。

晶体三极管的基区之所以做得很薄,其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。

单选题关于P型半导体的下列说法,错误的是()。A空穴是多数载流子B在二极管中,P型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极C在纯净的硅衬底上,掺杂五价元素,可形成P型半导体D在NPN型的晶体管中,基区正是由P型半导体构成

判断题在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。A对B错

单选题在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。A空穴/自由电子B自由电子/空穴C空穴/共价键电子D负离子/正离子