单选题悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺时，第一次区熔时，第一区熔区停留挥发时间（）左右。A3ｍｉｎB5ｍｉｎC7ｍｉｎD10ｍｉｎ

单选题
悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺时，第一次区熔时，第一区熔区停留挥发时间（）左右。
A

3ｍｉｎ

B

5ｍｉｎ

C

7ｍｉｎ

D

10ｍｉｎ

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