单选题突触前抑制的特点下列哪一项是错误的（）A突触前膜去极化B持续时间长C潜伏期较长D通过轴突一轴突突触结构的活动来实现E轴突末梢释放抑制性递质
单选题
突触前抑制的特点下列哪一项是错误的（）
A
突触前膜去极化
B
持续时间长
C
潜伏期较长
D
通过轴突一轴突突触结构的活动来实现
E
轴突末梢释放抑制性递质
参考解析
解析：
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下列关于突触前抑制的叙述，错误的是A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D、潜伏期短，持续时间短E、可调节控制感觉信息的传入活动
关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的A．突触前末梢去极化B．Ca2+由膜内进入突触前膜内C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D．突触后膜对K+、Cl-的通透性升高E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
下列关于IPSP产生过程的叙述，哪一项是错误的？A. 突触前膜超极化B. Ca2+经突触前膜进入突触小体C. 突触前膜释放抑制性递质D. 突触后膜对Cl-通透性增强E. Cl-内流产生IPSP
抑制性突触后电位发生过程中哪一项是错误的？（）A、突触前轴突末梢去极化B、Ca2+由膜外进入突触前膜内C、突触小泡释放递质并与突触后膜受体结合D、突触后膜对Cl-或K+的通透性升高E、突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的？（）A、突触前轴突末梢去极化，Ca2+由膜外进入突触前膜内B、突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少C、突触后膜对K+、C1-，特别是Cl-的通透性增高D、突触后膜出现超极化电位
单选题抑制性突触后电位发生过程中哪一项是错误的？（）A突触前轴突末梢去极化BCa2+由膜外进入突触前膜内C突触小泡释放递质并与突触后膜受体结合D突触后膜对Cl-或K+的通透性升高E突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
单选题关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的？（）A突触前轴突末梢去极化，Ca2+由膜外进入突触前膜内B突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少C突触后膜对K+、C1-，特别是Cl-的通透性增高D突触后膜出现超极化电位
单选题关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的？（ ）A突触前轴突末梢去极化BCa2+由膜外进入突触前膜内C突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D突触后膜对Cl-或K+的通透性升高E突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
多选题下列关于突触前抑制的叙述，错误的是（）A突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D潜伏期短，持续时间短E可调节控制感觉信息的传入活动
单选题关于突触前易化的产生，下列哪一描述是正确的？（ ）A结构基础与突触前抑制不同B到达突触前末梢的动作电位频率高C有多个兴奋同时到达突触前末梢D进人突触前末梢内Ca2+增多E突触后膜有多个EPSP发生总和