甲的生长区是 A、甲板B、甲床C、甲根D、甲母质E、甲廓

甲的生长区是

A、甲板

B、甲床

C、甲根

D、甲母质

E、甲廓


相关考题:

甲的生长区是甲()。 A、半月B、基质C、床D、根

控制铸坯结构、首要的是要()。 A、扩大铸坯中心等轴晶区、抑制柱状晶生长B、扩大铸坯柱状晶区、抑制中心等轴晶生长

下列哪些部分与根的伸长生长有直接关系?( )A.根冠和生长点(即分生区)B.生长点和伸长区C.伸长区和根毛区D.只有生长点

关于甲下列叙述错误的是A、甲由多层紧密的角化细胞构成B、甲母质是甲的生长区C、正常甲有光泽呈淡红色D、疾病、营养状况、环境和生活习惯的改变可影响甲的颜色、形态和生长速度E、甲床有汗腺和皮脂腺

为研究甲、乙两种培养基的生长效果是否相同,将100份标本的每一份一分为二,分别接种于甲、乙培养基,所得结果甲、乙培养基均生长的有30份,甲生长、乙不生长的25份,甲不生长、乙生长的35份,甲、乙均不生长的l0份( )

章某在某市甲区盗窃,又在该市乙区盗窃,逃窜至该市丙区时,被丙区公安机关抓获,后丙区法院受理章某的盗窃案。关于本案的审判管辖,错误的是?()A:由于甲区是最初犯罪地,应当由甲区法院管辖B:由于丙区法院是最初受理法院,应当由丙区法院管辖C:甲区、乙区、丙区都有管辖权D:甲区、乙区法院有管辖权,丙区法院没有管辖权

颌面部的生长区都是生长中心。

根尖中,与根的向地性生长有关的部位是()A.根冠B.分生区C.伸长区D.根毛区

下列关于成分过冷区的大小对单相合金的晶体生长方式的影响正确的是______。A.当界面前沿无成分过冷时,晶体趋向于平面生长。B.当界面前沿存在窄成分过冷区时,晶体趋向于胞状生长。C.当界面前沿存在窄成分过冷区时,晶体趋向柱状树枝晶生长。D.当界面前沿存在宽成分过冷区时,晶体趋向于胞状生长。