直接转换技术的DR中应用的转换介质是A.影像板B.增感屏C.碘化铯D.非晶砸E.非晶硅

直接转换技术的DR中应用的转换介质是

A.影像板

B.增感屏

C.碘化铯

D.非晶砸

E.非晶硅


相关考题:

直接转换技术的DR中应用的转换介质是A、影像板B、增感屏C、碘化铯D、非晶硒E、非晶硅

直接转换技术的DR,应用的转换介质是()。A.影像板B.增感屏C.碘化铯D.非晶硒E.非晶硅

直接转换FPD利用的光导半导体材料是A.非晶桂B.非晶砸C.CslD.PSLE.非晶碳

间接DR中,位于FPD顶层的是A.非晶砸B.碘化铯C.钨酸钙D.非晶硅E.CCD

直接转换技术DR中应用的转换介质是 A.影像板B.增感屏C.碘化铯D.非晶砸E.非晶硅

非晶硅平板A.直接转换B.间接转换C.光电转换D.电光转换E.闪烁晶体

CR应用的辐射转换器是A.影像增强器B.硒鼓检测器C.非晶硅探测器D.CCD探测器E.影像板(IP)

属于DR成像直接转换方式的是A.非晶硒平板探测器B.碘化铯+非晶硅平板探测器C.利用影像板进行X线摄影D.固定IP+CCD摄像机阵列E.硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

属于DR成像间接转换方式的部件是A.增感屏B.非晶硒平板探测器C.碘化铯+非晶硅探测器D.半导体狭缝线阵探测器E.多丝正比电离室

属于DR成像直接转换方式的部件是A.闪烁体+CCD摄像机阵列B.非晶硒平板探测器C.碘化铯+非晶硅探测器D.半导体狭缝线阵探测器E.多丝正比电离室

间接DR中,位于FPD顶层的是A.非晶硒B.碘化铯C.钨酸钙D.非晶硅E.CCD

直接转换技术的DR中应用的转换介质是A.影像板B.碘化铯C.非晶硅D.非晶硒E.增感屏

直接转换技术的DR,应用的转换介质是()A、影像板B、增感屏C、碘化铯D、非晶硒

能将X线直接转换成电子信号的材料是()A、溴化银B、腆化铯C、非晶硒D、非晶硅E、氟氯化钡/铕

属于DR成像直接转换方式的是()A、非晶硒平扳探测器B、碘化铯+非晶硅平扳探测器C、利用影像板进行X线摄影D、闪烁体+CCD摄像机阵列E、硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

属于DR成像间接转换方式的部件是()A、增感屏B、非晶硒平板探测器C、多丝正比电离室D、碘化色+非晶硅探测器E、半导体狭缝线阵探测器

直接转换技术DR,应用的转换介质是()A、影像板B、增感屏C、碘化铯D、非晶硒E、非晶硅

属于DR成像间接转换方式的部件是()A、增感屏B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室

多选题DR使用过的平板探测器材质是()A非晶硒B碘化铯非晶硅C氧化钆非晶硅

单选题属于DR成像间接转换方式的部件是()A增感屏B非晶硒平板探测器C碘化铯+非晶硅探测器D半导体狭缝线阵探测器E多丝正比电离室

单选题直接转换技术DR,应用的转换介质是()A影像板B增感屏C碘化铯D非晶硒E非晶硅

单选题直接转换技术的DR,应用的转换介质是()A影像板B增感屏C碘化铯D非晶硒E非晶硅

单选题直接转换技术的DR中应用的转换介质是().A影像板B增感屏C碘化铯D非晶硒E非晶硅

单选题间接转换技术的DR,应用的转换介质是()A影像板B增感屏C碘化铯D非晶硒E非晶硅

单选题直接转换DR中应用的转换介质是(  )。A非晶硅B非晶硒C碘化铯D成像板E增感屏

单选题属于DR成像直接转换方式的是()A非晶硒平扳探测器B碘化铯+非晶硅平扳探测器C利用影像板进行X线摄影D闪烁体+CCD摄像机阵列E硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

单选题直接转换技术的DR,应用的转换介质是()A影像板B增感屏C碘化铯D非晶硒