晶体三极管工作于放大区的条件是()。 A、集电结和发射结都反偏B、集电结反偏、发射结正偏C、集电结和发射结都正偏D、集电结正偏、发射结反偏
三极管处于放大状态时，三极管的发射结和集电结分别处于()。A.发射结和集电结都处于正偏B.发射结处于正偏，集电结处于反偏C.发射结处于反偏，集电结处于正偏D.发射结和集电结都处于反偏
三极管处于饱和状态则为()。 A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结、集电结都正偏D、发射结反偏，集电结正偏
一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏,则此三极管处于()状态;其发射结和集电结都处于反偏时,此三极管处于()状态;当发射结正偏、集电结反偏时,三极管为()状态。
处于饱和状态的三极管，其工作状态为（）。A.发射结正偏、集电结反偏B.发射结反偏、集电结正偏C.发射结反偏、集电结反偏D.发射结正偏、集电结正偏
晶体三极管工作在饱和状态时，满足（）A.发射结、集电结均正偏B.发射结、集电结均反偏C.发射结正偏、集电结反偏D.发射结反偏、集电结正偏
三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于（ ）。A.放大状态B.饱和状态C.截止状态D.击穿状态
处于截止状态的三极管，其工作状态为（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结正偏，集电结正偏
三极管处于截止状态的工作条件是发射结零偏或反偏，集电结反偏。
晶体三极管工作在饱和状态时，满足（）。A、发射结、集电结均正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
三极管饱和区的放大条件为（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏或零偏，集电结反偏C、发射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏
晶体三极管处于放大状态的条件是（）。A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，集电结反偏
三极管截至工作状态的外部条件是（）.A、发射结反偏、集电结反偏B、发射结反偏、集电结正偏C、发射结正偏、集电结正偏
三极管工作在放大状态的条件（）。A、发射结与集电结都正偏B、发射结与集电结都反偏C、发射结反偏、集电结正偏D、发射结正偏、集电结都反偏
三极管处于饱和状态时，叙述错误的是（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结、集电结都正偏D、以上均不对
三极管处于放大状态时，三极管的发射结和集电结分别处于（）A、发射结和集电结都处于正偏B、发射结处于正偏，集电结处于反偏C、发射结处于反偏，集电结处于正偏D、发射结和集电结都处于反偏
三极管处于饱和状态时，三极管的发射结和集电结分别处于（）A、发射结和集电结都处于正偏B、发射结处于正偏，集电结处于反偏C、发射结处于反偏，集电结处于正偏D、发射结和集电结都处于反偏
三极管工作于放大状态的条件是（）A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
半导体三极管处在饱和状态时是（）A、发射结反偏集电结反偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结正偏D、发射结反偏集电结正偏
三极管放大的外部偏置条件是（）。A、发射结和集电结均正偏B、发射结和集电结均反偏C、发射结正偏、集电结反偏
晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
晶体三极管工作于饱和状态时，则（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
晶体三极管要处于饱和状态必须满足（）。A、发射结集电结构正偏B、发射结集电结均反偏C、发射结正偏集电结反偏D、发射结反偏集电结正偏
三极管处于饱和状态时，其集电结和发射结都处于反偏。
三极管处于饱合状态时，其集电结和发射结都处于反偏。
单选题三极管的集电结反偏，发射结正偏时，三极管处于（）。A饱和状态B截止状态C放大状态D开关状态
多选题三极管处于饱和状态时，叙述错误的是（）。A发射结正偏，集电结反偏B发射结、集电结均反偏C发射结、集电结都正偏D以上均不对