HiCN的吸收波峰位于A.540nmB.572nmC.634nmD.578nmE.504nm

HiCN的吸收波峰位于

A.540nm
B.572nm
C.634nm
D.578nm
E.504nm

参考解析

解析:

相关考题:

SDS检测Hb的吸收曲线波峰应位于A.500nmB.504nmC.538nmD.540nmE.548nm

关于HiCN参考品的规格,下列哪项是错误的A.波峰540土lnm,波谷502~504nmB.A750<0.002C.测定精度<士1%D.A504/A540应在1.59~1.63之间

HiCN的最大吸收峰位于A、504nmB、540nmC、578nmD、587nmE、634nm

HiCN的吸收波峰位于 ( )A、504nmB、572nmC、540nmD、578nmE、634nm

ICSH规定HiCN参考液的条件中,不包括A、吸收曲线的波峰为(540±1)nm,波谷为504~502nmB、A/A=1.590~1.630C、CV≤0.5%D、5年内不变质E、普通培养和厌氧培养阴性

SDS-Hb的吸收波峰位于A、500nmB、504nmC、538nmD、544nmE、548nm

HiCN的吸收峰波长是A.572nmB.540nmC.578nmD.634nmE.504nm

HiCN测定最大吸收峰位于A、504nmB、538nmC、540nmD、560nmE、575nm

关于HiCN参考品的规格,下列哪项是错误的A、 波峰540土lnm,波谷502~504nmB、 A7500.002C、 测定精度士1%D、 A504/A540应在1.59~1.63之间

HiCN的吸收波峰位于A.540nmB.572nmC.634nmD.578nmE.504nm

HiCN测定最大吸收峰位于( )。A.504nmB.538nmC.540nmD.560nmE.575nm

关于HicN参考品的规格,下列叙述错误的是A.A504/A540应在1.59~1.63之间B.A750≤0.002C.CV≤0.5%D.波峰(540±1)nm,波谷502~504nmE.准确度≤±0.5%

HiCN的最大吸收峰位于A.634nmB.504nmC.587nmD.540nmE.578nm

HiCN测定最大吸收峰位于哪里?

SDS检测Hb的吸收曲线波峰应位于()A、500nmB、504nmC、538nmD、540nmE、548nm

关于HicN参考品的规格,下列叙述错误的是A、波峰(540±1)nm,波谷502~504nmB、A750≤0.002C、CV≤0.5%D、准确度≤±0.5%E、A504/A540应在1.59~1.63之间

下列HiCN参考制品的规格中哪个是错误的()。A、HiCN波峰在540±1nmB、HiCN波谷为502~504nmC、A540/A504应在1.59~1.63D、HiCN的摩尔消光系统为44

ICSH规定HiCN参考液的条件中,不包括()A、吸收曲线的波峰为540±1nm,波谷为504~502nmB、A入504nm/A入504nm=1.590~1.630C、CV≤0.5%D、5年内不变质E、普通培养和厌氧培养阴性

HiCN的吸收峰位于()。A、50nmB、540nmC、578nmD、587nmE、634nm

单选题SDS-Hb的吸收波峰位于()A500nmB504nmC538nmD544nmE548nm

单选题ICSH规定HiCN参考液的条件中,不包括()A吸收曲线的波峰为(540±1)nm,波谷为504~502nmBA/A=1.590~1.630CCV≤0.5%D5年内不变质E普通培养和厌氧培养阴性

单选题下列HiCN参考制品的规格中哪个是错误的()。AHiCN波峰在540±1nmBHiCN波谷为502~504nmCA540/A504应在1.59~1.63DHiCN的摩尔消光系统为44

单选题HiCN的吸收峰位于()。A50nmB540nmC578nmD587nmE634nm

单选题ICSH规定HiCN参考液的条件中,不包括()A吸收曲线的波峰为540±1nm,波谷为504~502nmBA入504nm/A入504nm=1.590~1.630CCV≤0.5%D5年内不变质E普通培养和厌氧培养阴性

单选题船舶在海上遇到“标准波”时,当船舶处于()状态时,浮力的分布对船体总纵强度是最不利的。A船中位于波峰B船中位于波谷C波峰位于1/4船长处DA或B

单选题HiCN的吸收波峰位于()。A504nmB572nmC540nmD578nmE634nm

问答题HiCN测定最大吸收峰位于哪里?

单选题SDS检测Hb的吸收曲线波峰应位于()A500nmB504nmC538nmD540nmE548nm