以下TD－LTE说法错误的是() A.TD-LTE相比3G具有更低的接入时延B.TD-LTE采用扁平化的网络结构C.TD-LTE可以采用同频组网D.TD-LTE产业链进展严重滞后于FDD-LTE
LTE为3.9G的技术，它的演进版本是______。
目前已经有_____、______、_____等超过16家全球主流芯片厂家推出和在研LTE TDD/ FDD融合多模芯片。
NB－IoT终端成本、功耗更低,而eMTC在( )等方面具有一定优势。 A.移动性B.画面清晰C.语音D.数据速率
LTE的第一个标准版本是什么?() A.Release4B.Release7C.Release8D.Release10
TD－LTE终端和芯片已基本成熟,目前, 支持五模的TD－LTE芯片平台基本达到商用能力的厂商有() ①高通、②海思、③Intel、④创毅 A.①和②B.①③④C.①②③D.以上全是
eMTC支持移动性、可定位，更多连接，更低成本，更深覆盖，更高速率，更低功耗。
eMTC即可以支持FDDLTE系统，也可以支持TD-LTE系统。
eMTC具有哪些技术特征（）A、e-MTCB、更多连接C、更深覆盖D、更低功耗
下列哪一项不属于eMTC的概念与技术特征（）A、更低功耗B、更高速率C、更高成本D、更深覆盖
计算机芯片与服装相比，其环境敏感度（）。A、更高B、更低C、相同D、无法比较
关于TD-LTE系统以下说法错误的是（）A、TD-LTE可以采用同频组网B、TD-LTE采用扁平化的网络结构C、TD-LTE产业链进展严重滞后于FDD-LTED、TD-LTE相比3G具有更低的接入时延
关于UE等级下面说法不正确的是（） A、LTE共有5种UE等级B、CAT3终端上行支持16QAMC、CAT4终端上行支持64QAMD、CAT5终端上行支持64QAM
LTE产业链包括环节（）A、系统设备和终端芯片B、系统设备和业务C、系统设备、终端芯片和业务D、系统设备、终端芯片、仪器仪表和业务
以下说法错误的是（）A、TD-LTE相比3G具有更低的接入时延B、TD-LTE采用扁平化的网络结构C、TD-LTE可以采用同频组网D、TD-LTE产业链进展严重滞后于FDD-LTE
最早使用载波聚合技术的LTE版本是？A、R9B、R10C、R11D、R12
TD-LTE终端和芯片已基本成熟，目前，支持五模的TD-LTE芯片平台基本达到商用能力的厂商有（）①高通、②海思、③Intel、④创毅A、①和②B、①③④C、①②③D、以上全是
目前芯片卡较磁条卡安全性（）A、更低B、更高C、差不多D、无法比较
判断题eMTC网络既可以支持TDD-LTE，又可以支持FDD-LTE。A对B错
多选题eMTC具有哪些技术特征（）A更低成本B更多连接C更深覆盖D更低功耗
单选题TD-LTE终端和芯片已基本成熟，目前，支持五模的TD-LTE芯片平台基本达到商用能力的厂商有（）①高通、②海思、③Intel、④创毅A①和②B①③④C①②③D以上全是
单选题下列哪一项不属于eMTC的概念与技术特征（）A更低功耗B更高速率C更高成本D更深覆盖
判断题eMTC是增强型机器类通信，基于LTE协议演进而来A对B错
单选题最早使用载波聚合技术的LTE版本是？AR9BR10CR11DR12
单选题在TD-LTE上下行配置1中，如果特殊子帧使用配置7的话，那么下行Cat4 UE可以达到的极限速率为（）A50MbpsB80MbpsC100MbpsD65Mbps
判断题eMTC支持移动性、可定位，更多连接，更低成本，更深覆盖，更高速率，更低功耗A对B错