耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以正偏、零偏或反偏
当PN结外加正向电压时，耗尽层()A、变宽B、变窄C、宽度不变
PN结加上反向电压时,其PN结的宽度(或空间电荷区)会()。 A、变窄B、变宽C、不变
当PN结加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当PN结加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层() A.大于B.变窄C.等于D.小于E.变宽F.不变
PN结P区的电位高于N区的电位称为（），简称正偏，此时电流从P区流到N区，PN结呈低阻性，所以电流大。A、加反向电压B、加反向电流C、加正向电压D、加正向电流
给PN结加反向电压（反偏）时，耗尽层将（）A、变窄B、变宽C、不变
当PN结加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当PN结加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）A、大于B、变窄C、等于D、小于E、变宽F、不变
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
工作在截止区的三极管的两个PN结（）。A、均正偏B、均反偏C、一个正偏，一个反偏D、都不对
给PN结加正向电压（正偏）时，耗尽层将（）A、变窄B、变宽C、不变
PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
PN结在外加反方向电压的作用下，耗尽层（），流过PN结的电流（）。
PN结外加正向电压时其空间电荷区宽度将（），PN结中（）电流占优势。
对于结型场效应管，栅源极之间的PN结（）A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以任意偏置
使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。
当PN结外加正向电压时，阻挡层的宽度将（）A、增大B、减小C、不变D、近似不变
当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层变窄，当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。A、大于B、小于C、等于D、变宽
和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变（）；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变（）
使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。正偏时PN结处于（）状态，反偏时PN结处于（）状态。
当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。
填空题PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。
判断题对于一个PN结，如果反偏电压降低，耗尽区宽度将减小。A对B错
填空题当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
填空题PN结光电器件，反偏时光电流与反偏电压（）。
判断题外加反向电压，PN结中的耗尽层宽度将变宽。A对B错
填空题PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。