单选题某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时，用铝砂喷砂去除金-瓷结合面的包埋料后，以下哪一操作步骤是不正确的？（ ）A用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物B用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物C一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形D使用橡皮轮磨光金属表面E防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
单选题
某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时，用铝砂喷砂去除金-瓷结合面的包埋料后，以下哪一操作步骤是不正确的？（ ）
A
用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物
B
用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物
C
一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形
D
使用橡皮轮磨光金属表面
E
防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
参考解析
解析：
此题目考查考生对金属基底冠桥筑瓷前处理步骤的操作细节。通常分别应用碳化硅和钨刚钻去除非贵金属和贵金属表面的氧化物，在打磨时应该按照一个方向打磨，不可以出现多方向打磨，以防烧结时出现气泡。同时应杜绝用橡皮轮抛光，因为橡皮轮里含有的金属氧化物会黏附在金属基底的表面，当烤瓷烧成时，使瓷牙变色。在除气及预氧化后避免用手接触金属表面，以防带入油污和其他杂质。
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下列关于金瓷结合机制的描述，错误的是A.金属基底表面氧化膜与瓷之间为化学结合B.压应力结合是金瓷结合力的最主要组成部分C.基底冠表面经过喷砂粗化后能够显著增加机械结合力D.机械结合力不是最主要的金瓷结合力E.范德华力在金瓷结合力中所占比例最小
某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时，用铝砂喷砂去除金-瓷结合面的包埋料后，以下哪一操作步骤是错误的A、用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物B、用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形D、使用橡皮轮磨光金属表面E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面粗化及预氧化处理后，不慎用手触摸金属表面，使表面污染，最易导致金瓷修复体A、瓷结合不良B、不透明瓷层出现裂纹C、出现瓷气泡D、金属氧化膜过厚E、PFM冠变色
某技术员在进行金-瓷修复体基底冠表面粗化及预氧化处理后，不慎用手触摸了金属表面，使表面污染，最易导致金-瓷修复体A、出现瓷气泡B、瓷结合不良C、不透明瓷层出现裂纹D、瓷表面裂纹E、金属氧化膜过厚
为提高金瓷结合强度,下列哪项要求是不正确的() A、基底冠表面喷砂处理;B、瓷的热膨胀系数略小于合金;C、基底冠表面不应使用含有机物的磨具打磨;D、可在基底冠表面设计倒凹固位;E、应清除基底冠表面油污;
某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时，用铝砂喷砂去除金-瓷结合面的包埋料后，以下哪一操作步骤是错误的A.一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形B.使用橡皮轮磨光金属表面C.用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物D.用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物E.防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度，因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠的打磨处理中错误的是（）。A、用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物B、用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物C、打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合.部要求的外形D、禁止使用橡皮轮磨光E、用50～100μm的氧化铝喷砂
单选题某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面粗化及预氧化处理后，不慎用手触摸金属表面，使表面污染，最易导致金瓷修复体（ ）。A瓷结合不良B不透明瓷层出现裂纹C出现瓷气泡D金属氧化膜过厚EPFM冠变色
单选题某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时，用铝砂喷砂去除金-瓷结合面的包埋料后，以下操作步骤错误的是（）A用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物B用钨钢钻磨除贵金属表面的氧化物C一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形D使用橡皮轮磨光金属表面E防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
单选题某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时，用铝砂喷砂去除金一瓷结合面的包埋料后，以下哪一操作步骤是不正确的？（ ）A用碳化硅磨除非贵金属基底金一瓷结合面的氧化物B用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物C一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形D使用橡皮轮磨光金属表面E防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
单选题金-瓷修复体中金属基底冠喷砂使用的材料是（ ）。A石英砂B金刚砂C氧化铝D氧化硅E碳化硅