关于腐蚀倒片的说法,正确的是:()A、将每个保鲜盒内待腐蚀的晶片分在6个黑色腐蚀篮内,并盖上专用的清洗筐盖子B、分选后的晶片倒片要按频率档分类标识腐蚀。C、确保打孔烧杯的晶片完全倒入腐蚀篮内,预防少片D、每个烧杯的晶片数量是5000片

关于腐蚀倒片的说法,正确的是:()

  • A、将每个保鲜盒内待腐蚀的晶片分在6个黑色腐蚀篮内,并盖上专用的清洗筐盖子
  • B、分选后的晶片倒片要按频率档分类标识腐蚀。
  • C、确保打孔烧杯的晶片完全倒入腐蚀篮内,预防少片
  • D、每个烧杯的晶片数量是5000片

相关考题:

测定氟用的离子选择性电极是由什么晶体片制成的A、氟化钠单晶片B、氟化镧单晶片C、氟化硼单晶片D、氟化锗单晶片E、氟化钾晶体片

超声波的频率取决于晶片的振动频率,()。 A、频率越高晶片越厚B、频率越高晶片越薄C、频率越低晶片越薄D、频率越低晶片越小

将热纯水放入黑色周转盒中,并将盛有晶片的黑色清洗筐放入流动的热纯水中晃动清洗更换2次热水。

晶片厚度和探头频率是相关的,晶片越厚则频率()

波束扩散角是晶片尺寸和传播介质中声波波长的函数并且随()A、频率增加,晶片直径减小而减小B、频率或晶片直径减小而增大C、频率或晶片直径减小而减小D、频率增加,晶片直径减小而增大

晶片厚度与晶片的频率密切相关,晶片厚度越厚,频率越低。

腐蚀篮的上边缘必须高于腐蚀液面2到3cm,预防少片。

直探头组成的主要元件有压电晶片;吸收片;保护膜;();外壳等等,其中压电晶片;是主要元件,功能是将电能转换为声能,将声能转换为电能。

光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺()A、刻制图形B、绘制图形C、制作图形

挂片腐蚀监测法(CC)是将所研究的对象静态挂片放置,用()测得物件的()。同时观察试片上点蚀情况,分析判断腐蚀成因和机理。A、差减法;失重腐蚀速率B、差减法;增重腐蚀速率C、目测法;失重腐蚀速率D、目测法;增重腐蚀速率

半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数,它()。A、随频率增加、晶片尺寸减小而减小B、随频率或晶片尺寸减小而增大C、随频率或晶片尺寸减小而减小D、频率增加、晶片尺寸减小而增大

红外线分析仪测量气室或晶片被污染后,使仪器灵敏度下降,测量误差增大,在清洗气室及窗口晶片时,要选择相应的清洗剂,严禁破坏()的光滑度。A、切光片B、气室内壁C、晶片D、参比室

腐蚀倒片前作业员必须确认频率标签的烧杯编号与所取烧杯一致,不可随意取烧杯内的晶片进行腐蚀。

腐蚀后待清洗时,每个清洗筐内的晶片上限尺寸3225及以下数量为()A、≤12000片B、≤6000片C、≤6000片D、≤10000片

腐蚀时量测频率的操作方法是:()A、在热水槽中取出腐蚀篮,用塑料镊子夹取少数晶片到抹布上B、擦干晶片,在测频仪上量测晶片频率C、夹取晶片时动作轻重都可D、量测前不用校对频率标晶

将烧杯中清洗好的待腐蚀晶片倒入腐蚀篮中;并将干净的乒乓球放入腐蚀篮(¢120腐蚀篮放入4个乒乓球,¢100腐蚀篮放入3个乒乓球)。

腐蚀前确认生产任务的内容有:()A、检查随工单内容是否清晰B、待腐蚀的片数量、标识、频率是否与随工单是否一致C、工艺流程是否正确D、排气系统是否正常

腐蚀前必须将热水槽边的开关打开,腐蚀前必须晃动腐蚀篮,将腐蚀篮中晶片散开。

腐蚀前需确认的生产条件有:()A、腐蚀机是否正常、腐蚀篮是否损坏B、腐蚀机温度是否在68±2℃C.腐蚀机内腐蚀液是否饱和C、腐蚀液面是否有漂浮物质D、排气系统是否正常E、检查超声波腐蚀篮、脱水机、烧杯是否干净F、更换氟化氢铵溶液

腐蚀前的来料检查,正确的说法是:()A、腐前必须先抽腐500片到1000片晶片,然后送外观检验,合格后方可腐蚀,玻璃条否全部挑出B、抽测晶片来料频率,并在腐前电子档里记录频率数据C、晶片表面干净与否将直接影响晶片腐蚀后的外观D、测试腐蚀前频率是为了准确的计算腐蚀时间并检查频散情况

锅炉酸洗的腐蚀程度可通过挂放在清洗系统中的腐蚀指示片的变化来确定。

探头的频率取决于()。A、晶片的厚度B、晶片材料的声速C、晶片材料的声阻抗D、晶片材料的密度

涂胶之前,要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行,下列操作正确的是()。A、进行去水烘烤以保证晶片干燥B、在晶片表面涂上增粘剂以保证晶片黏附性好C、刚刚处理好的晶片应立即涂胶D、贮存的晶片在涂胶前必须再次清洗及干燥E、也可以直接使用贮存的晶片

波束扩散角是晶片尺寸和所通过的介质中声波波长的函数,并且()。A、频率或晶片直径减少时增大B、频率或晶片直径减少时减少C、频率增加而晶片直径减少时减少D、频率或晶片直径增大时增大

单选题半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数,它()。A随频率增加、晶片尺寸减小而减小B随频率或晶片尺寸减小而增大C随频率或晶片尺寸减小而减小D频率增加、晶片尺寸减小而增大

单选题波束扩散角是晶片尺寸和所通过的介质中声波波长的函数,并且()。A频率或晶片直径减少时增大B频率或晶片直径减少时减少C频率增加而晶片直径减少时减少D频率或晶片直径增大时增大

单选题测定氟用的离子选择性电极是由什么晶体片制成的()A氟化钠单晶片B氟化镧单晶片C氟化硼单晶片D氟化锗单晶片E氟化钾晶体片