图1所示的图形符号表示的电力电子器件是()。：A、普通晶闸管B、电力场效应管C、门极可关断晶闸管D、绝缘栅双极晶体管
电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频
在斩波器中，采用电力场效应管后可降低对滤波元器件的要求，减少了斩波器的体积和重量。
下列器件中，（）属于不可控制电力电子器件。A、肖特基二极管B、晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应管
逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）。A、晶闸管B、电力晶体管C、可关断晶闸管D、电力场效应管
绝缘栅双极晶体管具有（）的优点．A、晶闸管B、单结晶体管C、电力场效应管D、电力晶体管和电力场效应管
电力场效应管MOSFET（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
绝缘栅双极晶体管的开关速度（）电力场效应管。A、稍高于B、低于C、等于D、远高于
电力晶体管的开关频率（）电力场效应管。A、稍高于B、低于C、远高于D、等于
电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率
电力场效应管MOSFET适合于在（）条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频
电力场效应管是理想的（）控制型器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率
斩波器中采用电力场效应管后可降低对波元件的要求，（）了斩波器的体积和重量。
电力场效应管指的是（）。A、MOSFETB、GTOC、IGBTD、GTR
电力场效应管适用于（）容量的设备。A、高速大B、低速大C、高速小D、低速小
在斩波器中，采用电力场效应管可以（）。A、提高斩波频率B、降低斩波频率C、提高功耗D、降低斩波效率
常用的电力电子器件有：（）。A、双极晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、电力MOS场效应管D、门极关断晶闸管E、场控晶闸管
在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（），属于半控型器件的是（），属于全控型器件的是（）；属于单极型电力电子器件的有（），属于双极型器件的有（），属于复合型电力电子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作频率最高的是（），属于电压驱动的是电力（）属于电流驱动的是（）。
电力场效应管（MOSFET）是利用改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件，属于（）。
（）的本质是一个场效应管。A、肖特基二极管B、电力晶体管C、可关断晶闸D、绝缘栅双极晶体管
电力晶体管的开关频率（）电力磁场效应管的开关频率。A、稍高于B、低于C、远高于D、等于
在斩波器中，采用电力场效应管后可降低对滤波元件的要求，从而减少了斩波器的体积和（）。
多选题常用的电力电子器件有：（）。A双极晶体管B绝缘栅双极晶体管C电力MOS场效应管D门极关断晶闸管E场控晶闸管