电力晶体管的开关频率()电力磁场效应管的开关频率。A、稍高于B、低于C、远高于D、等于

电力晶体管的开关频率()电力磁场效应管的开关频率。

  • A、稍高于
  • B、低于
  • C、远高于
  • D、等于

相关考题:

电力MOSFET的开关频率越高,所需要的驱动功率( )。A、越小B、不变C、越大D、不定

绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的()。A、高B、相同C、低D、不一定高

斩波器中的电力晶体管,工作在()状态A、放大B、截止C、开关D、饱和

下列属于电力系统自动装置的有()A、电力系统频率自动调节B、开关事故分合次数统计及事件SOEC、线路自动重合闸装置D、低频减载装置

电力晶体管是()控制型器件。A、电流B、电压C、频率D、功率

逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用()。A、晶闸管B、电力晶体管C、可关断晶闸管D、电力场效应管

绝缘栅双极晶体管具有()的优点.A、晶闸管B、单结晶体管C、电力场效应管D、电力晶体管和电力场效应管

逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用电力场效应管和绝缘栅双极晶体管。

绝缘栅双极晶体管的开关速度()电力晶体管。A、低于B、等于C、稍高于D、明显高于

绝缘栅双极晶体管的开关速度()电力场效应管。A、稍高于B、低于C、等于D、远高于

电力晶体管的开关频率()电力场效应管。A、稍高于B、低于C、远高于D、等于

逆变器输出频率较高时,电路中的开关元件应采用电力晶体管。

电力系统同期并列的条件是并列开关两侧()相同,()不超过本网规定。A、频率、相序;电压、相位B、频率、相位;电压、相序C、频率、电压;相序、相位D、相序、相位;频率、电压

斩波器中采用电力场效应管后可以提高斩波频率。

体管通用三相SPWM型逆变器是由()组成。 A、三个电力晶体管开关B、六个电力晶体管开关C、六个双向晶闸管D、六个二极管

IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管

在电力电子装置中,电力晶体管一般工作在()状态。A、放大B、截止C、饱和D、开关

在斩波器中,采用电力场效应管可以()。A、提高斩波频率B、降低斩波频率C、提高功耗D、降低斩波效率

常用的电力电子器件有:()。A、双极晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、电力MOS场效应管D、门极关断晶闸管E、场控晶闸管

在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

电力电子开关器件的发展经历的四个阶段为:()、()、功率 场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。

在PWM式晶体管调压器中,当交流发电机负载增加时,功率管的:()。A、开关频率减小B、开关频率增大C、导通时间减小D、导通时间增大

逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用()A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极晶体管

晶体管通用三相SPWM型逆变器是由()组成。A、三个电力晶体管开关B、六个电力晶体管开关C、六个双向晶闸管D、六个二极管

电力系统同期并列的条件是并列开关两侧()、()相同,频率和电压不超过本网规定。

高频开关电源是指功率晶体管工作在()状态的直流稳压电源,其开关频率在()赫兹以上。

单选题在电力电子装置中,电力晶体管一般工作在()状态。A放大B截止C饱和D开关