硅主要是由()装置中加注消泡剂引起的。少量硅沉积在催化剂孔口,导致活性下降,床层压降上升。A、常减压B、催化C、重整D、焦化

硅主要是由()装置中加注消泡剂引起的。少量硅沉积在催化剂孔口,导致活性下降,床层压降上升。

  • A、常减压
  • B、催化
  • C、重整
  • D、焦化

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