电压互感器的基本结构是由（）构成。A、一次绕组B、二次绕组C、铁芯D、瓷套
电压互感器的基本结构是由（）构成。
- A、一次绕组
- B、二次绕组
- C、铁芯
- D、瓷套
相关考题：
(2014年)电压互感器由一次绕组、二次绕组、铁芯组成。其结构特征是()。A.一次绕组匝数较多，二次绕组匝数较少B.一次绕组匝数较少，二次绕组匝数较多C.一次绕组并联在线路上D.一次绕组串联在线路上
电压互感器由一次绕组、二次绕组、铁芯组成。其结构特征是（ ）。 A.一次绕组匝数较多，二次绕组匝数较少 B.—次绕组匝数较少，二次绕组匝数较多 C.一次绕组并联在线路上 D.—次绕组串联在线路上
用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ，在试品底座法兰对地绝缘，电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下，其测得值主要反映（）的绝缘状况A、一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地B、处于下铁芯下芯柱的1／4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地C、处于下铁芯下芯柱的的1／4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间D、上下铁芯支架
下列关于电压互感器的产生误差的主要原因中，不正确的是（）A、电压互感器的基本结构和变压器很相似。当U1在铁芯中产生磁通φ时，有激磁电流I0存在，由于一次绕组存在电阻，I0在激磁电纳上产生了电压降，就形成了电压互感器的空载误差B、电压互感器的基本结构和变压器很相似。当U1在铁芯中产生磁通φ时，有激磁电流I0存在，由于一次绕组存在漏抗，I0在激磁电导上产生了电压降，就形成了电压互感器的空载误差C、电压互感器的基本结构和变压器很相似。当U1在铁芯中产生磁通φ时，有激磁电流I0存在，由于一次绕组存在电阻和漏抗，I0在激磁导纳上产生了电压降，就形成了电压互感器的空载误差D、当二次绕组接有负载时，产生的负荷电流在二次绕组的内阻抗及二次绕组中感应的一个负载电流分量在二次绕组内阻抗上产生的电压降，形成了电压互感器的负载误差E、当二次绕组接有负载时，产生的负荷电流在一次绕组的内阻抗及一次绕组中感应的一个负载电流分量在一次绕组内阻抗上产生的电压降，形成了电压互感器的负载误差F、当二次绕组接有负载时，产生的负荷电流在二次绕组的内阻抗及一次绕组中感应的一个负载电流分量在一次绕组内阻抗上产生的电压降，形成了电压互感器的负载误差
下列电压互感器的基本结构描述中，正确的是（）A、电压互感器是由一个共用铁芯、两个相互绝缘的绕组构成B、一次绕组匝数较少，与用户的负荷并联C、一次绕组匝数较多，与用户的负荷并联D、一次绕组匝数较少，与用户的负荷串联E、二次绕组匝数较多，与电能表、继电器等的电压绕组串联连接F、二次绕组匝数较多，与电能表、继电器等的电压绕组并联连接G、二次绕组匝数较少，与电能表、继电器等的电压绕组并联连接
用末端屏蔽法测量110kV串级式电压互感器的tgδ时，在试品底座法兰接地、电桥正接线、Cx引线接试品x、xD端条件下，其测得值主要反映的是（）的绝缘状况。A、一次绕组对二次绕组及地；B、处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组对二次绕组之间；C、铁芯支架；D、处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组端部对二次绕组端部之间。
单选题用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ，在试品底座法兰对地绝缘，电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下，其测得值主要反映（）的绝缘状况A一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地B处于下铁芯下芯柱的1／4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地C处于下铁芯下芯柱的的1／4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间D上下铁芯支架