霍尔式传感器的基本原理是：当电流流过放在磁场中的半导体晶片，且电流、磁场、晶片相互垂直时，在洛伦兹力作用下半导体基片上将产生一个（）。A、线性变化的电流B、线性变化的电压C、矩形波电压D、尖峰波电流
霍尔式传感器的基本原理是：当电流流过放在磁场中的半导体晶片，且电流、磁场、晶片相互垂直时，在洛伦兹力作用下半导体基片上将产生一个（）。
- A、线性变化的电流
- B、线性变化的电压
- C、矩形波电压
- D、尖峰波电流
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霍尔式传感器的基本原理是：当电流流过放在磁场中的半导体基片，且电流方向与磁场方向垂直上，电荷在洛伦兹力作用下向一侧偏移，在（）电流与磁场的半导体基片的横向侧面上，将产生一个（）。A、平行；电流B、垂直；电压C、平行；电压D、垂直；电流
把一导体（或半导体）两端通以控制电流I，在垂直方向施加磁场B，在另外两侧会产生一个与控制电流和磁场成比例的电动势，这种现象称（），这个电动势称为霍尔电势。外加磁场使半导体（导体）的电阻值随磁场变化的现象成（）。
利用霍尔效应可制成多种凸轮轴位置传感器和转速传感器等等，下列说法中正确的是（）。A、需要用恒压源输入，霍尔晶体才能产生电压信号B、当磁力线消失时，才能产生霍尔电压C、霍尔效应由绕在永磁铁上的线圈通电才能产生电压信号D、当有电流输入并有磁力线穿过晶片时，才能产生霍尔电压
霍尔效应的原理是：当电流I通过在磁场中的半导体基片（即霍尔元件），且电流方向与磁场方向垂直时，在垂直于电流与磁通的半导体基片的横向侧面，即产生下一个与电流和磁感应强度成正比的（）。A、电流B、电压C、电感D、电场
判断题在霍尔式传感器中，霍尔电势反比于磁场强度。A对B错