涡流探伤时,试件中涡流产生的磁场总是强化激励电流所产生的磁场。() 此题为判断题(对，错)。
在涡流探伤时，试件中的涡流将（）。A、集中于试件中心B、在试件中均匀分布C、主要集中于试件表面D、以上全不对
影响涡流探伤的主要试件参数是试件的（）。A、电导率B、磁导率C、几何形状D、以上均是
涡流线圈中的电流反向时（）.A、零件中的涡流方向不变；B、零件中的涡流相位变化45°；C、零件中的涡流也反向；D、零件中涡流不变.
在涡流探伤中，在试件上感生的电流方向（）.A、与激励电流的方向相同B、与激励电流的方向相反C、与激励电流的方向无关D、取决于激励电流是直流还是交流
为了探出所需深度中的缺陷，在涡流探伤中可选用的条件是（）。A、试件电导率B、激励频率C、试件导磁率D、试件尺寸
如涡流探伤的激励频率增加，而场强不变，则试件表面的涡流密度会（）.A、增加B、减小C、不变D、等于0
激励绕组的功能是（）。A、发现试件中涡流变化B、在试件中激励出涡流C、发现试件中的分子磁矩D、激励出试件磁畴
在涡流探伤中，试件中感生出的涡流方向是（）。A、增加激励磁场的变化B、阻碍激励磁场变化C、与激励磁场变化无关D、与激励场强绝对值有关
涡流探伤时，试件中涡流产生的磁场总是强化激励电流所产生的磁场。
涡流探伤仪在测试漏、误报率时，要将标准试件连续测试（）次。
涡流探伤中，试件和检测线圈不同心，造成距线圈较远的缺陷（）
在涡流探伤中，缺陷是通过改变涡流的分布及流动状态来影响检测线圈电参数的。
单选题在涡流探伤时，试件中的涡流将（）。A集中于试件中心B在试件中均匀分布C主要集中于试件表面D以上全不对
填空题涡流探伤仪在测试漏、误报率时，要将标准试件连续测试（）次。
单选题为了探出所需深度中的缺陷，在涡流探伤中可选用的条件是（）。A试件电导率B激励频率C试件导磁率D试件尺寸
单选题如涡流探伤的激励频率增加，而场强不变，则试件表面的涡流密度会（）.A增加B减小C不变D等于0
单选题在涡流探伤中，试件中的涡流方向（）.A增加激励磁场的变化B阻碍激励磁场的变化C与激励磁场变化无关D只与激励场强绝对值有关
单选题在涡流探伤中，在试件上感生的电流方向（）.A与激励电流的方向相同B与激励电流的方向相反C与激励电流的方向无关D取决于激励电流是直流还是交流
判断题涡流探伤时，试件中涡流产生的磁场总是强化激励电流所产生的磁场。A对B错
单选题在涡流探伤中，试件中感生出的涡流方向是（）。A增加激励磁场的变化B阻碍激励磁场变化C与激励磁场变化无关D与激励场强绝对值有关
填空题涡流探伤中，试件和检测线圈不同心，造成距线圈较远的缺陷（）
单选题激励绕组的功能是（）。A发现试件中涡流变化B在试件中激励出涡流C发现试件中的分子磁矩D激励出试件磁畴