为什么测量大电容量、多元件组合的电力设备绝缘的tgδ，对反映局部缺陷并不灵敏？

为什么测量大电容量、多元件组合的电力设备绝缘的tgδ，对反映局部缺陷并不灵敏？

相关考题：

直流电压加到电力设备的绝缘介质上，电容充电电流与电容量及外加电压有关，而电容量与绝缘材料的几何尺寸有关，因此也称为（）。A负载电流B泄漏电流C几何电流
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超声波局部放电检测是通过检测电力设备局部放电激发的（）信号，来反映电力设备内部绝缘状况。A、特高频电磁波；B、机械波；C、高频电流；D、暂态地电压。
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特高频局部放电检测是通过检测电力设备局部放电激发的（）信号，来反映电力设备内部绝缘状况。A、特高频电磁波；B、机械波；C、高频电流；D、暂态地电压。
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检测电力设备局部放电的目的在于反映其（）。A、高温缺陷；B、机械损伤缺陷；C、伴随局部放电现象的绝缘缺陷；D、变压器油整体受潮缺陷。
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带有整流元件的回路，不能用绝缘电阻表测绝缘电阻，如果测量绝缘电阻，应将整流元件焊开。
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在电场干扰下测量电力设备绝缘的tgδ，其干扰电流是怎样形成的？
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在一般情况下，介质损耗tg∮试验主要反映设备绝缘的整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏。
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在绝缘预防性试验中，tgδ是基本测试项目，当绝缘受潮或劣化时，tgδ急剧上升。绝缘内部是否普遍局部放电，也可以通过测介损与电压的关系曲线加以判断。
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试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，描述正确的是（）。A、试品电容量越大，对试品tgδ和C测量结果影响越大B、试品电容量越大，对试品tgδ和C测量结果影响越小C、试品电容量大小，对试品tgδ和C测量结果不影响D、以上均不是
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试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品tgδ和C测量结果的影响程度是（）A、试品电容量越大，影响越大B、试品电容量越小，影响越小C、试品电容量越小，影响越大D、与试品电容量的大小无关
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通过测tgδ可以灵敏地反映出绝缘的分布性缺陷，“预规DL/T5961996”中对（）不要做此项试验。A、变压器B、套管C、互感器D、避雷器
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当绝缘受潮、老化时，有功电流IR将增大，tgδ也增大。通过测量tgδ很灵敏地反映出绝缘的集中缺陷。
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耦合电容器的主要参数是（）A、标称电容量Cb和绝缘电阻B、介质损耗因数tgδ和额定电压C、标称电容量Cb和介质损耗因数tgδD、标称电容量Cb和高频等效电阻r
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电容量是反映电容元件储存电荷能力的物理量。
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测量介损tgδ和测量绝缘电阻一样，试品的表面泄漏对测量结果有一定影响，并且（）。A、试品电容量较大，影响较小B、试品电容量较大，影响较大C、与试品电容量无关
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对35kV以上多油断路器进行tgδ值测量，为什么要比测主变压器的tgδ更有诊断意义？
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测量绝缘介质损tgδ能反映绝缘本身状态，同时又能反映绝缘由良好状态向劣化状况转化过程。
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为什么要测量电力设备的绝缘电阻？
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变压器绝缘受潮后试验结果发生以下哪些变化？（）A、绝缘电阻降低B、吸收比不变C、tgδ值增大D、电容量不变
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能有效发现电容型电流互感器底部进水受潮缺陷的试验是（）。A、末屏绝缘电阻B、交流耐压C、主屏电容量D、主绝缘tgδ
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判断题在绝缘预防性试验中，tgδ是基本测试项目，当绝缘受潮或劣化时，tgδ急剧上升。绝缘内部是否普遍局部放电，也可以通过测介损与电压的关系曲线加以判断。A对B错
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问答题在电场干扰下测量电力设备绝缘的tgδ，其干扰电流是怎样形成的？
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单选题直流电压加到电力设备的绝缘介质上，电容充电电流与电容量及外加电压有关，而电容量与绝缘材料的几何尺寸有关，因此也称为（）。A负载电流B泄漏电流C几何电流
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单选题直流电压加到电力设备的绝缘介质上，电容充电电流与电容量及外电压有关，而电容量与绝缘材料的几何尺寸有关，因此也称为（）A负载电流B泄漏电流C几何电流D电感电流
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单选题试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品tgδ和C测量结果的影响程度是（）A试品电容量越大，影响越大B试品电容量越小，影响越小C试品电容量越小，影响越大D与试品电容量的大小无关
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判断题在一般情况下，介损tgδ试验主要反映设备绝缘整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏。A对B错
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判断题在一般情况下，介质损耗tg∮试验主要反映设备绝缘的整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏。A对B错
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