动态存储器刷新时只需要提供（）地址。A、行地址B、列地址C、行、列地址D、以上都不对
动态存储器刷新时只需要提供（）地址。
- A、行地址
- B、列地址
- C、行、列地址
- D、以上都不对
相关考题：
● 在Excel 中，单元格地址绝对引用的方法是 （52） 。A．在单元格地址前 “＄”B．在单元格地址后 “＄”C．在构成单元格地址的行标号和列标号前分别 “＄”D．在构成单元格地址的行标号和列标号之间 “＄”
在Excel中，单元格地址绝对引用的方法是(52)。A．在单元格地址前加“$”B．在单元格地址后加“$”C．在构成单元格地址的行标号和列标号前分别加“$”D．在构成单元格地址的行标号和列标号之间加“$”
动态存储器芯片的正常访问周期为60us，其中，输入行地址和列地址分别需要20ns。如果行地址不变，只改变列地址，则可以节省输入行地址的时间。对于一个容量为64MB的芯片，全部存储单元都访问一遍至少需要(3)s。A．1.34B．2.68C．5.36D．3.16
关于RAS#Precharge描述正确的是（）A、列地址至行地址的延迟时间，简称RCDB、行地址控制器延迟时间C、列动态时间，也称tRAS，表示一个内存芯片上两个不同的列逐一寻址时所造成的延迟D、列地址控制器预充电时间，简称tRP
已知有16K×1的DRAM芯片，其引脚功能如下：地址输入A6～A0，行地址选择RAS，列地址选择CAS，数据输入端DIN，数据输出端DOUT，控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器，采用奇偶校验。试问：若芯片内部采用128×128矩阵排列，求异步刷新时该存储器的刷新间隔。
问答题已知有16K×1的DRAM芯片，其引脚功能如下：地址输入A6～A0，行地址选择RAS，列地址选择CAS，数据输入端DIN，数据输出端DOUT，控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器，采用奇偶校验。试问：若芯片内部采用128×128矩阵排列，求异步刷新时该存储器的刷新间隔。
单选题在Excel 2010中，单元格地址包括所在位置的（）。A行地址B列地址C列和行的地址D区域地址