动态存储器刷新时只需要提供()地址。A、行地址B、列地址C、行、列地址D、以上都不对

动态存储器刷新时只需要提供()地址。

  • A、行地址
  • B、列地址
  • C、行、列地址
  • D、以上都不对

相关考题:

在Excel 2003中,列地址或行地址的绝对引用是在列标或行号的前面加上字符______。 A.$B.#C.*D.&

● 在Excel 中,单元格地址绝对引用的方法是 (52) 。A.在单元格地址前 “$”B.在单元格地址后 “$”C.在构成单元格地址的行标号和列标号前分别 “$”D.在构成单元格地址的行标号和列标号之间 “$”

在Excel中,单元格地址绝对引用的方法是(52)。A.在单元格地址前加“$”B.在单元格地址后加“$”C.在构成单元格地址的行标号和列标号前分别加“$”D.在构成单元格地址的行标号和列标号之间加“$”

动态存储器芯片的正常访问周期为60us,其中,输入行地址和列地址分别需要20ns。如果行地址不变,只改变列地址,则可以节省输入行地址的时间。对于一个容量为64MB的芯片,全部存储单元都访问一遍至少需要(3)s。A.1.34B.2.68C.5.36D.3.16

用绝对地址引用的单元在公式复制中目标公式会()。 A、不变B、变化C、列地址变化D、行地址变化

在Excel 2010中,单元格地址包括所在位置的()。A行地址B列地址C列和行的地址D区域地址

关于TRas#描述正确的是()A、行地址控制器延迟时间,简称CLB、列动态时间,也称tRASC、列地址控制器预充电时间,简称tRP

关于RAS#Precharge描述正确的是()A、列地址至行地址的延迟时间,简称RCDB、行地址控制器延迟时间C、列动态时间,也称tRAS,表示一个内存芯片上两个不同的列逐一寻址时所造成的延迟D、列地址控制器预充电时间,简称tRP

关于TRas#描述不正确的是()A、行地址控制器延迟时间,简称CLB、列动态时间,也称tRASC、列地址控制器预充电时间,简称tRP

在excel2003中,单元格地址包括的信息是所在位置的()A、列和行的地址B、内容C、列地址D、行地址

在excel2003中,列地址或行地址的绝对引用是在列标或行号的前面加上字符()A、$B、#C、*D、

动态存储器的刷新是按()(填行或列)进行;若存储单体的容量为64K,采用双译码且地址线平均送到两个译码器中,则刷新地址计数器的模为()。

DRAM芯片怎么有行地址又有列地址?

已知有16K×1的DRAM芯片,其引脚功能如下:地址输入A6~A0,行地址选择RAS,列地址选择CAS,数据输入端DIN,数据输出端DOUT,控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器,采用奇偶校验。试问:若芯片内部采用128×128矩阵排列,求异步刷新时该存储器的刷新间隔。

内存的时序参数TRas#表示().A、行地址控制器延迟时间B、列地址至行地址的延迟时间C、列地址控制器预先充电时间D、列动态时间

内存的时序参数RAS#toCAS#表示().A、列地址至行地址的延迟时间B、行地址控制器延迟时间C、列地址控制器预充电时间D、列动态时间

用相对地址引用的单元在公式复制中目标公式会()。A、不变B、变化C、列地址变化D、行地址变化

在一个单元格引用的行地址或列地址前,若表示为绝对地址则添加的字符是()A、@B、#C、$D、%

在Excel 2010中,使用地址$D$1引用工作表第D列(即第3列)第1行的单元格,这称为对单元格的()。A、绝对地址引用B、相对地址引用C、混合地址引用D、三维地址引用

CPU可以直接从内存芯片中获取存储单元的行地址和列地址。

地址一般分为行、列地址的是()。A、EEPROMB、FlashC、静态RAMD、动态RAM

单选题用相对地址引用的单元在公式复制中目标公式会()。A不变B变化C列地址变化D行地址变化

问答题2114RAM(1024×4位)的存储器为64×64矩阵,它的地址输入线,行地址输入线,列地址输入线,输入/输出线各是多少条?每条列选择输出线同时接几位?

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填空题动态存储器的刷新是按()(填行或列)进行;若存储单体的容量为64K,采用双译码且地址线平均送到两个译码器中,则刷新地址计数器的模为()。

单选题在Excel 2010中,单元格地址包括所在位置的()。A行地址B列地址C列和行的地址D区域地址