下列哪些因素会影响临界注入量的大小：（）。A、注入离子的质量B、靶的种类C、注入温度D、注入速度E、注入剂量

下列哪些因素会影响临界注入量的大小：（）。

  • A、注入离子的质量
  • B、靶的种类
  • C、注入温度
  • D、注入速度
  • E、注入剂量

相关考题：

如同时抽取几个种类的血标本，注入的顺序是A.先注入血培养瓶，再注入干燥管，最后注入抗凝管B.先注入干燥管，再注入抗凝管，最后注入血培养瓶C.先注入血培养瓶，再注入抗凝管，最后注入干燥管D.先注入抗凝管，再注入血培养瓶，最后注入干燥管E.先注入干燥管，再注入血培养瓶，最后注入抗凝管
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毛细管色谱柱的柱容量小、出峰快，因此要求A、瞬间注入极小量样品B、缓慢注入极小量样品C、进样速度和进样量无要求D、缓慢注入大量样品E、瞬间注入大量样品
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对注入水与地层流体不配伍损害油气层机理叙述不正确的是()。 A、注入水的密度低于地层水密度产生重力分异B、注入水中含离子与地层水中离子发生反应产生沉淀结垢C、注入水造成地层温度下降产生有机垢D、注入水中的不稳定盐类进入地层温度升高时产生无机垢
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对速敏实验原理叙述错误的是()。 A、以不同的注入速度向岩芯中注入地层水B、测量不同注入速度下的岩芯渗透率C、当达到临界流速时，渗透率明显上升D、岩芯不同，流动介质不同，其临界流速也不同
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聚驱注入状况分析内容不包括()。 A.注入粘度B.注入速度C.含水率D.注入压力保持水平
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在Spring中,下列关于setter注入和构造注入的说法,正确的有( )。 A.执行效果完全相同B.注入依赖关系注入时机不同B.setter注入方式依赖对象先注入D.构造注入方式依赖对象先注入
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下列( )不是Spring的依赖注入方式。 A.setter注入B.getter注入C.接口注入D.构造注入
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下面属于注入的是（）。A、SQL注入B、LDAP注入C、Xpath注入D、XML注入
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离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A、能量B、剂量
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离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。A、能量B、剂量
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哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。A、低温注入B、常温注入C、高温注入D、分子注入E、双注入
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降低靶的温度，有利于非晶层的形成，所以临界注入量随之（）。A、增大B、减小C、不变D、变为0
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对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。A、入射离子的能量B、入射离子的质量C、入射离子的原子序数D、靶原子的质量、原子序数、原子密度E、注入离子的总剂量
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控制电子束能量密度的大小和（），就可以达到不同的加工目的。A、注入时间B、注入数量C、注入速度D、注入方向
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消泡剂注入量的调整是根据（）。A、处理量的变化B、中子料位计的指示C、加热炉出口温度的变化D、消泡剂的注入温度
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聚合物驱（）状况分析包括：注入压力状况、注入量、注入聚合物浓度、注入粘度、注入速度、注采比、吸水能力及吸水剖面的变化。A、采出B、注入C、变化D、影响
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年注入水量与油层总孔隙体积之比叫（）。A、注入速度B、注入程度C、注入强度D、注入量
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年注入量与油层空隙总体积之比称为（）。A、注入速度B、注入程度C、注入强度D、注入量
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Spring中注入的方式有（）。A、方法注入B、接口注入C、构造子注入D、设值注入
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压裂按照注入方式可分为环空注入、（）、和油套管混合注入。A、套管注入B、油管注入C、间歇注入D、吞吐注入
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当注入剂量增加到某个值时，损伤量不再增加，趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。A、临界剂量B、饱和剂量C、无损伤剂量D、零点剂量
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若同时采取不同种类的血标本，应（）A、先注入血培养瓶B、再注入抗凝瓶C、最后注入干燥试管D、先注入干燥试管E、最后注入抗凝瓶
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填空题为了降低注入离子对衬底由于热沉积产生的温升，在高剂量、大束流离子注入时，可以采用（）扫描方式，在低剂量、小束流时一般用（）方式注入。
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多选题若同时采取不同种类的血标本，应（）A先注入血培养瓶B再注入抗凝瓶C最后注入干燥试管D先注入干燥试管E最后注入抗凝瓶
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单选题控制电子束能量密度的大小和（），就可以达到不同的加工目的。A注入时间B注入数量C注入速度D注入方向
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填空题CMOS工艺中，阱注入的计量为（）量级；源、漏注入的剂量为（）量级；开启调整的注入剂量为（）量级 ；场注入的的剂量为（）量级；离子束合成SOI材料SIMOX的O+注入计量为（）量级。
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问答题同时抽取不同种类的血标本时，应先注入______，再注入______，最后注入______。
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