下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。A、CF4B、BCl3C、Cl2D、F2E、CHF3

下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。

  • A、CF4
  • B、BCl3
  • C、Cl2
  • D、F2
  • E、CHF3

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通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区
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铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。A、等离子体刻蚀B、反应离子刻蚀C、湿法刻蚀D、溅射刻蚀
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下列物质以共价键结合的是（）。A、NaClB、KBrC、Cl2D、MgCl2
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下列物质中，属于极性化合物的是（）。 A、NaO2B、H2SC、Cl2D、Fe
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在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。A、铜B、铝C、金D、二氧化硅
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在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。A、单晶硅刻蚀B、多晶硅刻蚀C、二氧化硅刻蚀D、氮化硅刻蚀
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在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。A、气体B、等离子体C、固体D、液体
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多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A、二氧化硅B、氮化硅C、单晶硅D、多晶硅
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常用的变形铝合金有（）。A、防锈铝合金B、硬铝合金C、超硬铝合D、锻铝合金E、硅铝合金
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下列铝合金中（）属于热处理强化铝合金。A、铝镁合金B、硬铝合金C、铝硅合金D、铝锰合金
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下列铝合金中（）属于非热处理强化铝合金。A、铝镁合金B、硬铝合金C、铝硅合金D、锻铝合金
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下列铝合金中（）属于非热处理强化铝合金。A、铝镁合金B、硬铝合金C、铝硅合金D、铝锰合金E、超硬铝合金
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盐酸+过氧化氢适合熔解（）A、铝及铝合金B、不锈钢、铜及合金C、硅铁、硅钙合金等高硅物质D、锰铁
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下列物质中，偶极矩为零的是（）A、HBrB、BCl3C、H2SD、NH3
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哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
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为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。A、多晶硅B、单晶硅C、铝硅铜合金D、铜
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（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。A、刻蚀速率B、刻蚀深度C、移除速率D、刻蚀时间
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下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。A、二氧化硅氮化硅B、多晶硅硅化金属C、单晶硅多晶硅D、铝铜E、铝硅
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硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）A、体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构
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可以用浓硫酸刻蚀晶硅表面。
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在下列物质中（）是单质。A、H2OB、NaC、Cl2D、HCl
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下列物质熔点最高的是（）。A、CF4B、CCl4C、CBr4D、CI4
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问答题哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
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问答题为什么0.25微米以下工艺的干法刻蚀需要高密度等离子体？
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问答题实用的等离子体刻蚀工艺必须满足哪些条件？
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单选题硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。Aa.体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工；Bb.体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工；Cc.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构；
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判断题高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。A对B错
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