超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。A、高分辨率B、高灵敏度C、精密的套刻对准D、大尺寸E、低缺陷

超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。

  • A、高分辨率
  • B、高灵敏度
  • C、精密的套刻对准
  • D、大尺寸
  • E、低缺陷

相关考题：

对生物样品检测方法的要求，下面哪种说法是正确的A、高灵敏度、高精密度B、高专属性、高灵敏度C、高准确度、高专属性D、高稳定性、高准确度E、高专属性、高精密度
查看答案
下列切削加工中属于超精密加工的是( )。 A.金刚石超精密车削B.光刻加工C.超声研磨D.激光加工
查看答案
用游标卡尺测量时,尺寸的整数部分是()。 A、副尺“0”线对应主尺左边第一条刻线尺寸B、副尺“0”线对应主尺右边第一条刻线尺寸C、主尺、副尺对准刻线主尺左边尺寸D、主尺、副尺对准刻线主尺右边尺寸
查看答案
尺寸公差的要求()。 A.做到绝对准确的要求的尺寸B.要求的尺寸允许变化的范围。C.只要得到的实际尺寸，在允许的变化范围内D.尺寸是合格的、能满足使用要求的
查看答案
LIGA (光刻)工艺制造微电子芯片属于精密特种加工。() 此题为判断题(对，错)。
查看答案
B型超声诊断仪制造工艺采用（）A、光刻B、声刻C、雕刻D、透镜
查看答案
闸板防喷器封闭不严的应检查（）。A、闸板前端是否有硬东西卡住B、两块闸板尺寸是否与所封钻具（管柱）尺寸一致C、花键套、滑套是否卡死D、两闸板封闭处钻具有无缺陷（如不圆）E、胶芯是否老化F、检控压力是否低
查看答案
什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？
查看答案
解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？
查看答案
光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）
查看答案
试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。
查看答案
钢坯生产工艺缺陷有几何形状不正，尺寸公差不合，扭转和弯曲以及一些表面缺陷。
查看答案
滑动轴承一般用于（）的场合。A、转速特别高B、冲击、振动大C、要求特别精密D、径向尺寸大E、工艺要求轴承剖分
查看答案
大型精密箱体工件加工的主要工艺特征是（）。A、外形尺寸大B、形状复杂C、加工个工作量大，加工困难D、加工尺寸精度要求高E、各加工表面形位公差要求高F、加上表面要充分消除内应力，以减少加工变形
查看答案
精密注射成型的主要的工艺特点有哪些？精密注射成型工艺对注射机以及注射模的设计有什么要求？
查看答案
下列切削加工中属于超精密加工的是（）。A、金刚石超精密车削B、光刻加工C、超声研磨D、激光加工
查看答案
精密水准仪用较高灵敏度的水准器，建立精密的水平视线。
查看答案
晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷
查看答案
问答题PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？
查看答案
问答题光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？
查看答案
判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对B错
查看答案
问答题常见的光刻对准曝光设备有？
查看答案
问答题光刻工艺包括哪些工艺？
查看答案
填空题光学光刻机的主要曝光光线的是波长为（）的g线和（）的i线，适合1微米以上特征尺寸的光刻。常用（）的KrF和（）的ArF准分子激光做1微米以下特征尺寸的光刻光源。
查看答案
问答题什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。
查看答案
填空题光刻工艺的主要工序有：（）组成。
查看答案
多选题以下属于光刻工艺的为：（）。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀
查看答案
热门标签